[發(fā)明專利]一種單相鉑改性鋁化物涂層及其制備工藝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410610491.1 | 申請(qǐng)日： | 2014-10-31 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN105624522B | 公開（公告）日： | 2017-07-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 孫超;于昊君;姜肅猛;劉瑞東;宮駿 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院金屬研究所 |
| 主分類號(hào)： | C22C30/00 | 分類號(hào)： | C22C30/00;C25D3/50;C23C10/48;C23C10/60;C23C14/14;C23C16/06;C23F17/00 |
| 代理公司： | 沈陽(yáng)科苑專利商標(biāo)代理有限公司21002 | 代理人： | 許宗富,周秀梅 |
| 地址： | 110016 遼*** | 國(guó)省代碼： | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 單相 改性 鋁化物 涂層 及其 制備 工藝 | ||
1.一種單相鉑改性鋁化物涂層的制備工藝，其特征在于：該涂層為β-(Ni,Pt)Al單相涂層，涂層中Al元素含量為30-40wt％，Pt元素含量為20-30wt％，Ni元素含量為30-40wt％；該涂層的制備工藝是：首先在基體上沉積鉑元素以形成鍍鉑基底層，然后在所述鍍鉑基底上沉積Al元素，最終獲得單相鉑改性鋁化物涂層；該工藝具體包括如下步驟：
(1)通過電鍍將Pt沉積鉑元素在基體上形成鍍鉑基底層，對(duì)所得鍍鉑基底層進(jìn)行熱處理，熱處理溫度為1000-1100℃，熱處理時(shí)間為1-3小時(shí)；熱處理之后鍍鉑基底層為γ(Ni,Pt)和γ’(Ni,Pt)3Al；熱處理后的鍍鉑基底層中Pt含量為85-95wt％，Ni含量為10-20wt％，Al含量為1-10wt％；
(2)在鍍鉑基底層上面沉積Al元素形成含有β-(Ni,Pt)Al單相或者含有β-(Ni,Pt)Al和PtAl2雙相的涂層，雙相涂層中的PtAl2通過熱處理手段消除后，形成僅含有β-(Ni,Pt)Al的單相涂層；其中：鋁元素的沉積采用固體粉末包埋技術(shù)或低真空氣相沉積技術(shù)；固體粉末包埋技術(shù)中鍍鉑基底層包埋在固體粉末中，低真空氣相沉積技術(shù)中鍍鉑基底層懸掛在固體粉末之上；鋁元素的沉積過程中，溫度900-1100℃，時(shí)間3-6小時(shí)；沉積Al之后如果形成雙相涂層，則對(duì)雙相涂層進(jìn)行熱處理，熱處理溫度1000-1200℃，熱處理時(shí)間1-4小時(shí)；或者，熱處理溫度800-900℃，熱處理時(shí)間15-25小時(shí)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單相鉑改性鋁化物涂層的制備工藝，其特征在于：步驟(1)中，所述電鍍工藝采用的鍍液組成為：鉑含量為6-10g/L的二亞硝基二氨鉑，20-65g/L的氨基磺酸，0.1g/L十二烷基二甲基添加劑，其余為水；鍍液pH值為1-5，鍍液溫度為60-90℃，電鍍電流密度為1-10A/dm2，電鍍時(shí)間為10分鐘到2小時(shí)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單相鉑改性鋁化物涂層的制備工藝，其特征在于：所述鍍鉑基底層的厚度為1-15μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單相鉑改性鋁化物涂層的制備工藝，其特征在于：所述固體粉末包括惰性劑、活化劑和滲鋁源，其中：惰性劑為0-50wt％，活化劑為1-6wt％，滲鋁源余量；所述惰性劑為氧化鋁粉，活化劑為氯化銨，滲鋁源為鐵鋁合金粉。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)科學(xué)院金屬研究所，未經(jīng)中國(guó)科學(xué)院金屬研究所許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410610491.1/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
