[發(fā)明專利]一種耐熱性有機電負性半導體有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410608835.5 | 申請日: | 2014-11-04 |
| 公開(公告)號: | CN104326971A | 公開(公告)日: | 2015-02-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李曉常;曾紀森 | 申請(專利權(quán))人: | 江西冠能光電材料有限公司 |
| 主分類號: | C07D213/06 | 分類號: | C07D213/06;C07D401/14;C07D213/22;C07F7/10;C07D239/26;C07D241/12;C07D235/18;C07C15/38;C07C255/52;C07D251/24;C07D285/14;H01L51/54 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 耐熱性 有機 電負性 半導體 | ||
1.一種有機半導體化合物,具有如下結(jié)構(gòu)通式(I):
(I)
其特征是所述的化合物中Ar1-2為苯基,取代苯基,萘基,取代萘基,菲基,取代菲基,吡啶基,取代吡啶基,喹啉基取代喹啉基,噻唑基,取代噻唑基,噁唑基,取代噁唑基,吡嗪基,取代吡嗪基,苯并噻唑基,取代苯并噻唑基,苯并呋喃基,取代苯并呋喃;
其特征是所述化合物中Ar3-4為H,?D,?F,苯基,取代苯基,萘基,取代萘基,菲基,取代菲基,吡啶基,取代吡啶基,喹啉基,取代喹啉基,噻唑基,取代噻唑基,噁唑基,取代噁唑基,吡嗪基,取代吡嗪基,苯并噻吩基,取代苯并噻吩基,苯并呋喃基,取代苯并呋喃基;
其特征是所述化合物中EW1與EW2為H,?D,?相同或不同的吸電基團,由碳原子少于40個的含N,O,S?的芳環(huán)、融合芳環(huán)組成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述有機半導體化合物,其特征是所述的化合物具有如下(II)結(jié)構(gòu):
???(II)
其特征在于所述化合物中EW1與EW2為?H,?D,?相同或不同的吸電子基團,由碳原子少于40個的含N,O,S?的芳環(huán)、融合芳環(huán)組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述化合物,其特征是所述的化合物具有如下(III)結(jié)構(gòu):
(III)
其特征是所述化合物中EW1與EW2為H,?D,?相同或不同的吸電基團,由碳原子少于40個的含N,O,S?的芳環(huán)、融合芳環(huán)組成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3?所述的化合物,其特征是所述的化合物中的吸電性基團EW1、EW2為H,?D,?相同或不同的吸電基團,由碳原子少于40個的含N,O,S?的芳環(huán)、融合芳環(huán)組成,優(yōu)選基團為:
。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的化合物,其特征是所述的化合物具有如下優(yōu)選結(jié)構(gòu):
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6.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其特征是所述化合物具有如下結(jié)構(gòu):
?(IV)
所述化合物中EW1與EW2為H,?D,?相同或不同的吸電基團,由碳原子少于40個的含N,O,S?的芳環(huán)、融合芳環(huán)組成,優(yōu)選基團為:
?。
7.?根據(jù)權(quán)利要求6所述的化合物,其特征是所述的化合物具有如下優(yōu)選結(jié)構(gòu):
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8.??一種有機發(fā)光二極管,其特征是所述的有機發(fā)光二極管由如下部分組成:
(a)一個陰極;
(b)一個陽極;
(c)一個夾心于陰極與陽極之間的有機半導體發(fā)光層;
(d)一個緊接發(fā)光層并處于陰極與發(fā)光層之間的電子傳輸空穴阻擋層,其特征是所述的電子傳輸空穴阻擋層含有權(quán)利要求1所述的化合物。
9.?根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機發(fā)光二極管,其特征是其中的電子傳輸空穴阻擋層為一混合物材料,含有權(quán)利要求1所述的化合物及另一電子注入材料。
10.?根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機發(fā)光二極管,其特征是發(fā)光層中優(yōu)選含有通式(I)電子傳輸材料,其含量小于50%(重量)。
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C07D213-90 .環(huán)原子間或環(huán)原子與非環(huán)原子間多于3個雙鍵
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