[發明專利]觸頭、半導體試驗裝置以及半導體試驗方法

有效

• 申請號: 201410608511.1
• 申請日: 2014-11-03
• 公開（公告）號: CN104749512B
• 公開（公告）日: 2018-05-04
• 發明（設計）人: 丸山真生;小池幸司
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R1/067
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司11286
• 代理人: 王穎,金玉蘭

1.一種與作為被試驗物的半導體裝置的端子接觸并被按壓，而使電流流過該半導體裝置的半導體裝置試驗用的觸頭，其特征在于，具備：

接觸部，其具有與該半導體裝置的端子接觸的平坦的接觸面，和

變形部，其在與該半導體裝置的端子接觸并被按壓時彈性變形，

所述變形部為柱狀，

在所述變形部設有多個沿與所述按壓的方向相交的方向延長的狹縫，

所述多個狹縫之中，第一狹縫與第二狹縫從所述柱狀的周面相差180度的位置沿朝向所述柱狀的中心的方向形成，在所述第一狹縫與所述第二狹縫之間形成的狹縫中相鄰的狹縫從所述周面相差90度或180度的位置沿朝向所述柱狀的中心的方向形成，所述第一狹縫是所述多個狹縫之中最接近所述接觸面的狹縫，所述第二狹縫是所述多個狹縫之中與所述變形部的所述接觸面側相反的一側最接近的狹縫。

2.根據權利要求1記載的觸頭，其特征在于，

所述縫狹與所述接觸面平行。

3.根據權利要求1記載的觸頭，其特征在于，

所述接觸部和所述變形部構成為一體。

4.根據權利要求1記載的觸頭，其特征在于，

由導電性金屬材料構成。

5.根據權利要求4記載的觸頭，其特征在于，

所述導電性金屬材料從由鈹銅、不銹鋼、碳鋼構成的群中選擇的至少一種而構成。

6.根據權利要求1記載的觸頭，其特征在于，

所述接觸面由導電膜覆蓋。

7.根據權利要求6記載的觸頭，其特征在于，

所述導電膜從由金、銀、白金、錫、鎢、鎳、鈀、碳構成的群中選擇的至少一種而構成。

8.一種半導體試驗裝置，其特征在于，

具備權利要求1記載的觸頭。

9.根據權利要求8記載的半導體試驗裝置，其特征在于，

使所述觸頭與所述半導體裝置的端子接觸時的電阻值在3.5mΩ以下。

10.根據權利要求8記載的半導體試驗裝置，其特征在于，

以1.5kgf以上的力向所述半導體裝置的端子按壓所述觸頭。

11.一種半導體試驗方法，其特征在于，

使用權利要求1記載的觸頭。

12.根據權利要求11記載的半導體試驗方法，其特征在于，

使所述觸頭與所述半導體裝置的端子接觸時的電阻值在3.5mΩ以下。

13.根據權利要求11記載的半導體試驗方法，其特征在于，

以1.5kgf以上的力向所述半導體裝置的端子按壓所述觸頭。