[發明專利]一種有機薄膜晶體管及其制備方法

在審

• 申請號: 201410607350.4
• 申請日: 2014-10-31
• 公開（公告）號: CN104409633A
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發明（設計）人: 葛·瑞金;宋怡靜;楊昕;黃維;侯曉純
• 申請（專利權）人: 南京郵電大學
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/10;H01L51/30;H01L51/40
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 許方

1.一種有機薄膜晶體管，包括重摻雜硅片、修飾層十八烷基三氯硅烷OTS、修飾層聚苯乙烯PS、源、漏電極層、P3HT有機半導體活性層，其特征在于：在絕緣層與電極層間設置修飾層,所述的修飾層包含十八烷基三氯硅烷OTS層和聚苯乙烯PS層。

2.一種基于根據權利要求1所述的有機薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：具體包括以下步驟：

步驟一，選重摻雜硅片為襯底，重摻雜硅作為柵電極，熱氧化生成的二氧化硅作為絕緣層；

步驟二，在絕緣層上用汽化的方式制備十八烷基三氯硅烷OTS修飾層；

步驟三，在十八烷基三氯硅烷OTS修飾層上旋涂一層聚苯乙烯PS修飾層；

步驟四，在聚苯乙烯PS修飾層上通過掩膜蒸鍍方式制備源、漏電極；

步驟五，在電極上用噴墨打印的方法制備有機半導體活性層。

3.根據權利要求2所述的有機膜晶體管的制備方法，其特征在于：所述十八烷基三氯硅烷OTS

修飾層溶解于甲苯中，所述甲苯濃度為?3?mg/ml?~4mg/ml。

4.根據權利要求2所述的有機膜晶體管的制備方法，其特征在于：所述聚苯乙烯PS修飾層溶解于氯苯中，所述氯苯濃度為16?mg/ml?~20mg/ml。

5.根據權利要求2所述的有機膜晶體管的制備方法，其特征在于：所述二氧化硅絕緣層經過清洗、烘干，進行紫外臭氧處理。

6.根據權利要求2所述的有機膜晶體管的制備方法，其特征在于：所述汽化方式為：將處理過的硅片架在培養皿中，放在抽真空干燥箱中，加溫至140℃~160℃，形成1nm~2nm厚的OTS修飾層。

7.根據權利要求2所述的有機膜晶體管的制備方法，其特征在于：所述旋涂條件是在轉速為3000?RPM?~4000RPM，在手套箱中的熱臺上，氮氣環境中經過120℃~160℃的加溫退火，形成40nm~60nm厚的聚苯乙烯PS修飾層。

8.根據權利要求2所述的有機膜晶體管的制備方法，其特征在于：步驟四具體如下：通過掩膜蒸鍍方法將金電極蒸鍍在聚苯乙烯PS修飾層上，在氮氣中冷卻，形成30nm~50nm厚的電極層。

9.根據權利要求2所述的有機膜晶體管的制備方法，其特征在于：步驟五具體如下：通過壓電噴墨打印技術制備在電極層上，打印一層P3HT，按照豎排進行，覆蓋源、漏電極層之間的溝道上，作為有機半導體活性層，再在手套箱中的熱臺上，氮氣中經過60℃~70℃的加溫退火。

10.根據權利要求9所述的晶體管的制備方法，其特征在于：所述的半導體活性材料為P3HT。