[發(fā)明專(zhuān)利]一種基于倒裝焊封裝的甲烷傳感器及其制備方法與應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410607349.1 | 申請(qǐng)日: | 2014-10-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104316577A | 公開(kāi)(公告)日: | 2015-01-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬洪宇;丁恩杰;劉曉文;趙小虎;程婷婷 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中國(guó)礦業(yè)大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | G01N27/14 | 分類(lèi)號(hào): | G01N27/14;G01K7/16 |
| 代理公司: | 南京瑞弘專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 楊曉玲 |
| 地址: | 221116 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 倒裝 封裝 甲烷 傳感器 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種基于倒裝焊封裝的微型甲烷傳感器,其特征在于:它包括單片高溫加熱器(1)、單片甲烷氣體檢測(cè)器(2)和環(huán)境溫度檢測(cè)器(3);?
所述單片高溫加熱器(1)包括:支座A(101)、加熱元件(103)、2個(gè)固定端A(102)、2個(gè)鍵合固定端A(106)、多個(gè)電極引出端(104)、多個(gè)支撐端(105);
所述單片甲烷氣體檢測(cè)器(2)包括支座B(201)、測(cè)溫元件(203)、2個(gè)固定端B(202)、若干鍵合支撐端(204);
所述環(huán)境溫度檢測(cè)器(3)包括兩個(gè)電極端(1041)及測(cè)量電阻(32);所述環(huán)境溫度檢測(cè)器(3)設(shè)在單片高溫加熱器(1)的支座A(101)上,或單片甲烷氣體檢測(cè)器(2)的支座B(201)上,或在單片高溫加熱器(1)的支座A(101)與單片甲烷氣體檢測(cè)器(2)的支座B(201)上都設(shè)置有環(huán)境溫度檢測(cè)器(3);?
所述支座A(101)與支座B(201)都包括硅襯底(11)與硅襯底(11)之上的埋層氧化硅(12);
所述固定端A(102)、鍵合固定端A(106)、支撐端(105)、電極引出端(104)與電極端(1041)均相互獨(dú)立的設(shè)在支座A(101)上的埋層氧化硅(12)上;固定端A(102)及電極端(1041)均由硅層(21)加工而成,并在硅層(21)上設(shè)有氧化硅層(23)、在氧化硅層(23)上設(shè)有金屬層(22);所述固定端A(102)及電極端(1041)的硅層(21)內(nèi)均設(shè)有摻雜硅層(24),金屬層(22)均通過(guò)氧化硅層(23)的窗口與摻雜硅層(24)直接接觸并構(gòu)成歐姆接觸;鍵合固定端A(106)、電極引出端(104)與支撐端(105)均由硅層(21)加工而成,并在硅層(21)上設(shè)有氧化硅層(23),在氧化硅層(23)上設(shè)有金屬層(22);加熱元件(103)同樣由硅層(21)加工而成,并在硅層(21)的外表面設(shè)有鈍化保護(hù)層(25);所述加熱元件(103)設(shè)有高溫加熱單元(1031)、兩個(gè)對(duì)稱(chēng)設(shè)置的硅懸臂(1032);所述高溫加熱單元(1031)為圓環(huán)狀,或多個(gè)加熱條的并聯(lián);所述硅懸臂(1032)的長(zhǎng)度大于300um;所述單個(gè)的硅懸臂(1032)的一端與高溫加熱單元(1031)相連,另一端與支座A(101)上的一個(gè)固定端A(102)相連;電極引出端(104)也設(shè)在支座A(101)的埋層氧化硅(12)上;每個(gè)鍵合固定端A(106)、固定端A(102)均與一個(gè)對(duì)應(yīng)的電極引出端(104)的一端相連,尤其是金屬層(22)是相連接的;電極引出端(104)遠(yuǎn)離固定端A(102)和鍵合固定端A(106),其間距離應(yīng)使單片甲烷氣體檢測(cè)器(2)倒裝焊在單片高溫加熱單元上(1)之后,電極引出端(104)與電極端(1041)不被單片甲烷氣體檢測(cè)器(2)遮擋,在電極引出端(104)和電極端(1041)上可以向外進(jìn)行引線鍵合;在鍵合固定端A(106)、支撐端(105)的金屬層(22)上設(shè)有高度相同的金屬凸塊(500);2個(gè)鍵合固定端A(106)與2個(gè)固定端A(102)并排間隔布置,排列順序分別為一個(gè)鍵合固定端A(106)、一個(gè)固定端A(102)、另一個(gè)固定端A(102)、另一個(gè)鍵合固定端A(106);??
所述測(cè)溫元件(203)設(shè)有測(cè)溫單元(2031)、兩個(gè)對(duì)稱(chēng)設(shè)置的連接臂(2033),2個(gè)對(duì)稱(chēng)設(shè)置的支撐臂(2032);所述測(cè)溫單元(2031)、連接臂(2033)、支撐臂(2032)、固定端B(202)依次相連;所述測(cè)溫單元(2031)與單片高溫加熱器(1)的高溫加熱單元(1031)結(jié)構(gòu)形狀相同,尺寸稍大;所述鍵合支撐端(204)、固定端B(202)均相互獨(dú)立的設(shè)在支座B(201)上的埋層氧化硅(12)上;若在支座B(201)上設(shè)有環(huán)境溫度檢測(cè)器(3),則環(huán)境溫度檢測(cè)器(3)與固定端B(202)及若干鍵合支撐端(204)相互獨(dú)立、不存在硅層(21)上的連接;所述鍵合支撐端(204)、固定端B(202)均由硅層(21)加工而成,均包括硅層(21)、設(shè)在硅層(21)外的氧化硅層(23)、設(shè)在氧化硅層(23)上的金屬層(22);固定端B(202)的硅層(21)內(nèi)設(shè)有摻雜硅層(24),金屬層(22)通過(guò)氧化硅層(23)的窗口與固定端B(202)的摻雜硅層(24)直接接觸構(gòu)成歐姆接觸;測(cè)溫元件(203)由硅層(21)加工而成,并在硅層(21)的外表面設(shè)有鈍化保護(hù)層(25),懸在空氣中的測(cè)溫元件(203)通過(guò)固定端B(202)固定在支座B(201)上的埋層氧化硅(12)上,兩個(gè)固定端B(202)構(gòu)成測(cè)溫元件(203)的電通路的兩個(gè)端子;
單片甲烷氣體檢測(cè)器(2)的正面與單片高溫加熱器(1)的正面平行相對(duì),對(duì)準(zhǔn)后通過(guò)金屬凸點(diǎn)(500)的金屬鍵合實(shí)現(xiàn)二者的緊密固定與電連接;對(duì)準(zhǔn)后的單片甲烷氣體檢測(cè)器(2)在單片高溫加熱器(1)上的投影特征為:?jiǎn)纹淄闅怏w檢測(cè)器(2)的2個(gè)固定端B(202)分別與單片高溫加熱器(1)的2個(gè)鍵合固定端A(106)重合,單片甲烷氣體檢測(cè)器(2)的鍵合支撐端(204)分別與單片高溫加熱器(1)對(duì)應(yīng)的支撐端(105)重合,測(cè)溫單元(2031)的中心與單片高溫加熱器(1)的高溫加熱單元(1031)的中心重合,二者的中心到各自的支座具有相同的距離;單片甲烷氣體檢測(cè)器(2)與單片高溫加熱器(1)通過(guò)金屬凸點(diǎn)(500)金屬鍵合固定后,測(cè)溫單元(2031)與單片高溫加熱器(1)的高溫加熱單元(1031)之間的距離的距離范圍為3至200um;單片甲烷氣體檢測(cè)器(2)的測(cè)溫元件(203)通過(guò)兩個(gè)固定端B(202)、單片高溫加熱器(1)的兩個(gè)鍵合固定端A(106)及其上的金屬凸點(diǎn)(500)、與鍵合固定端A(106)相連接的兩個(gè)電極引出端(104)在單片高溫加熱器(1)上構(gòu)成一個(gè)二端子器件,在所述的與鍵合固定端A(106)相連接的兩個(gè)電極引出端(104)上進(jìn)行引線鍵合可實(shí)現(xiàn)與外部電路的連接。
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