[發明專利]基板對位靶標的制作方法

在審

• 申請號: 201410607162.1
• 申請日: 2014-10-31
• 公開（公告）號: CN104302111A
• 公開（公告）日: 2015-01-21
• 發明（設計）人: 宋陽
• 申請（專利權）人: 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
• 主分類號: H05K3/00
• 分類號: H05K3/00
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良

技術領域

本發明涉及有機基板的制作工藝，尤其是一種基板對位靶標的制作方法。

背景技術

有機基板的高密度化的實現直接取決于基板層間的激光孔連接和窄節距線路的制備，隨著電路板向著小型化和高密度化的方向發展，基板對光刻對位的精度要求也越來越高，對位精度直接影響著基板的質量。目前現有的技術，基板在做build-up層壓工藝，光刻對位方法都是以內層靶標為基準，都是在經過層壓或化銅之后，在基板上與靶標所對應的區域采用鉆靶標孔、貼干膜、曝光、顯影、蝕刻等加工工藝使光刻靶標露出，此種加工方法在制作光刻對位靶標的加工流程較為復雜，影響了基板的加工效率。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術中存在的不足，提供一種基板對位靶標的制作方法，無需在進行鉆靶標孔、貼干膜、曝光、顯影、蝕刻等加工工藝才能使靶標露出，縮短加工流程，降低工藝成本，減少基板的成本，提高了封裝基板光刻的質量與加工效率。本發明采用的技術方案是：

一種基板對位靶標的制作方法，包括下述步驟：

步驟一，提供一基板；在基板的輔助邊鉆定位孔；

步驟二，利用定位孔的位置定位，在基板的表面制作內層線路圖形和對位靶標；對位靶標周圍具有一圈絕緣空間間隔；

步驟三，使用平整的貼靶標材料覆蓋對位靶標和對位靶標周圍的絕緣空間間隔；所使用的貼靶標材料能夠耐受后續步驟中層壓時的溫度；

步驟四，在基板外層表面進行加溫層壓，層壓后的各外層結構層與基板結合；

步驟五，利用層壓后各外層結構層的凸起為指示，刮開外層結構層上與對位靶標相對應的部位，并剝離貼靶標材料，使得對位靶標露出。

進一步地，步驟三中，還包括記錄對位靶標的相應位置；另外制作一份對位靶標位置指示圖的步驟，步驟五中，則利用上述制作的對位靶標位置指示圖為指示，刮開外層結構層上與對位靶標相對應的部位。

進一步地，對位靶標設于基板的四個角的輔助邊內；

進一步地，對位靶標制作成直徑2mm的銅箔圓點。

進一步地，貼靶標材料采用耐溫大于200度的耐高溫膠帶或者PET離型膜。

進一步地，基板采用雙面覆銅板。

本發明的優點在于：本發明在有機基板進行疊板層壓或化學鍍銅之前，運用貼靶標材料對靶標位置進行覆蓋處理，使得有機基板在經過層壓或化學鍍銅之后，再對靶標位置進行剝離處理，使得對位靶標露出以便光刻機能夠準確、快速的找到對位靶標的位置，從而提高基板光刻的精度與加工效率。無需在進行曝光、顯影、蝕刻等工藝才能使對位靶標露出，縮短加工流程，降低工藝成本，減少基板的成本，提高了封裝基板光刻的質量與加工效率。貼靶標材料成本低（耐高溫膠帶、PET離型膜均可），制作過程簡易、方便、可靠性高，適合于大規模化量產的需要。

附圖說明

圖1為本發明的提供基板鉆定位孔示意圖。

圖2為本發明的制作內層線路圖形和對位標靶示意圖。

圖3a和圖3b為本發明的覆蓋貼靶標材料示意圖。

圖4為本發明的外層結構層層壓示意圖。

圖5為本發明的刮開外層結構層并剝離貼靶標材料示意圖。

圖6為本發明的流程圖。

具體實施方式

下面結合具體附圖和實施例對本發明作進一步說明。

本實施例以雙面覆銅板上進行層壓形成有機基板為例，介紹基板對位靶標的制作方法，具體包括下述步驟：

步驟一，提供一雙面覆銅板作為基板1；在雙面覆銅板的輔助邊鉆定位孔2；

如圖1所示，雙面覆銅板的中間層為絕緣基材，正面和背面都是銅箔。雙面覆銅板距離板的各條邊緣大約10厘米范圍內是輔助邊。定位孔2通常是鉆在雙面覆銅板四個角的輔助邊內。鉆孔的目的是可以給制作內層線路圖形和對位靶標時做光刻對位使用。

圖1是側面視圖，可視為是雙面覆銅板左邊的一個角附近的結構。

步驟二，利用定位孔2的位置定位，在雙面覆銅板的正面和背面分別制作正面內層線路圖形31和背面內層線路圖形32，以及對位靶標4；對位靶標4周圍具有一圈絕緣空間間隔5；

如圖2所示，此步驟主要進行內層線路圖形和對位靶標4的制作；具體可在雙面覆銅板上進行干膜前處理、貼干膜、光刻、顯影、蝕刻，經過第一次圖形轉移，得到正面內層線路圖形31和背面內層線路圖形32，以及對位靶標4；步驟一中的定位孔2可以給步驟二中的光刻對位使用。此步驟可采用現有的工藝制作，因此不作過多展開描述。