[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體測(cè)試治具及其形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410607155.1
• 申請(qǐng)日: 2014-10-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104360112B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-04-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 石磊
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 通富微電子股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01R1/073
• 分類(lèi)號(hào): G01R1/073;G01R31/26
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 應(yīng)戰(zhàn),駱蘇華

1.一種半導(dǎo)體測(cè)試治具，其特征在于，包括：

基底；

位于基底上的至少一排測(cè)試針頭，每一排中的相鄰測(cè)試針頭相互錯(cuò)位排布，每個(gè)測(cè)試針頭包括：第一測(cè)試針，所述第一測(cè)試針包括第一本體、位于第一本體一端的第一測(cè)試端以及位于第一本體另一端的第一連接端；覆蓋所述第一測(cè)試針的第一本體表面的絕緣層；位于絕緣層表面環(huán)繞所述第一測(cè)試針的第二測(cè)試針，第二測(cè)試針與第一測(cè)試針同軸，第二測(cè)試針包括第二本體、位于第二本體一端的第二測(cè)試端以及位于第二本體另一端的第二連接端，所述第二測(cè)試端表面與第一測(cè)試端表面齊平；

其中，所述半導(dǎo)體測(cè)試治具通過(guò)半導(dǎo)體集成工藝制作，包括方案a，方案b和方案c：

方案a，所述第一測(cè)試針、絕緣層和第二測(cè)試針的形成過(guò)程為：在所述基底上形成第一金屬層；刻蝕所述第一金屬層形成至少一排第一測(cè)試針，每一排中的相鄰第一測(cè)試針之間相互錯(cuò)位排布；形成覆蓋每個(gè)第一測(cè)試針側(cè)壁和頂部表面的絕緣薄膜層；無(wú)掩膜刻蝕工藝刻蝕所述絕緣薄膜層在第一測(cè)試針的側(cè)壁形成絕緣層；形成覆蓋所述絕緣層和第一測(cè)試針頂部表面的第二金屬層；無(wú)掩膜刻蝕所述第二金屬層，在絕緣層表面形成第二測(cè)試針；

方案b，所述第一測(cè)試針、絕緣層和第二測(cè)試針的形成過(guò)程為：在所述基底上形成犧牲層，所述犧牲層中具有暴露出基底表面的至少一排通孔，每一排中的相鄰?fù)字g相互錯(cuò)位排布；在所述通孔中填充滿金屬，形成若干第一測(cè)試針；去除所述犧牲層；形成覆蓋每個(gè)第一測(cè)試針側(cè)壁和頂部表面的絕緣薄膜層；無(wú)掩膜刻蝕工藝刻蝕所述絕緣薄膜層在第一測(cè)試針的側(cè)壁形成絕緣層；形成覆蓋所述絕緣層和第一測(cè)試針頂部表面的第二金屬層；無(wú)掩膜刻蝕所述第二金屬層，在絕緣層表面形成第二測(cè)試針；

方案c，所述第一測(cè)試針、第二測(cè)試針和絕緣層的形成過(guò)程為：在所述基底上形成介質(zhì)層，所述介質(zhì)層中形成有至少一排第一通孔和環(huán)繞每個(gè)第一通孔的環(huán)形通孔，第一通孔和環(huán)形通孔之間通過(guò)部分介質(zhì)層隔離，每一排中的相鄰第一通孔之間相互錯(cuò)位排布；在第一通孔中填充金屬形成第一測(cè)試針，在環(huán)形通孔中填充金屬形成第二測(cè)試針；去除第二測(cè)試針外側(cè)的介質(zhì)層，第一測(cè)試針和第二測(cè)試針之間剩余的介質(zhì)層作為絕緣層。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體測(cè)試治具，其特征在于，所述錯(cuò)位排布是指每一排中的若干第奇數(shù)個(gè)測(cè)試針頭的中心位于第一直線上，若干第偶數(shù)個(gè)測(cè)試針頭的中心位于第二直線上，第一直線與第二直線相互平行。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體測(cè)試治具，其特征在于，所述基底內(nèi)形成有信號(hào)傳輸電路，所述信號(hào)傳輸電路包括第一輸入端、第一輸出端、第二輸入端和第二輸出端，所述第一輸出端與第一測(cè)試針的第一連接端電連接，所述第二輸出端與第二測(cè)試針的第二連接端電連接，所述第一輸入端和第二輸入端分別與外部的測(cè)試電路電連接。