[發(fā)明專利]一種結(jié)構(gòu)簡單的三銀LOW-E玻璃

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410606285.3
• 申請(qǐng)日: 2014-10-30
• 公開（公告）號(hào): CN104309218A
• 公開（公告）日: 2015-01-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 禹幸福;陳圓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中山市亨立達(dá)機(jī)械有限公司
• 主分類號(hào): B32B17/06
• 分類號(hào): B32B17/06
• 代理公司: 中山市捷凱專利商標(biāo)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 44327
• 代理人: 石仁

技術(shù)領(lǐng)域：

本發(fā)明涉及一種結(jié)構(gòu)簡單的三銀LOW-E玻璃。

背景技術(shù)：

LOW-E玻璃，是一種高端的低輻射玻璃，是在玻璃基材表面鍍制包括銀層在內(nèi)的多層金屬及其它化合物組成的膜系產(chǎn)品，具有節(jié)能減排及裝飾幕墻的雙重功效。

然而，隨著節(jié)能減排政策的不斷深入，人們對(duì)玻璃的節(jié)能指標(biāo)要求越來越高，部分城市的節(jié)能要求，連雙銀LOW-E玻璃都達(dá)不到其節(jié)能要求，只能尋求三銀LOW-E玻璃，但傳統(tǒng)的三銀LOW-E玻璃最低需要14層膜才能達(dá)到要求，結(jié)構(gòu)復(fù)雜。

故有必要對(duì)現(xiàn)有的產(chǎn)品作出改進(jìn)，以提供一種既能達(dá)到節(jié)能效果，結(jié)構(gòu)又簡單的三銀LOW-E玻璃。

發(fā)明內(nèi)容：

本發(fā)明的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡單的三銀LOW-E玻璃，其結(jié)構(gòu)簡單，且具有與傳統(tǒng)三銀LOW-E玻璃相當(dāng)?shù)墓?jié)能效果。

一種結(jié)構(gòu)簡單的三銀LOW-E玻璃，包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次設(shè)有第一ITO介質(zhì)層、第一Ag層、第二ITO介質(zhì)層、第二Ag層、第三ITO介質(zhì)層、第三Ag層、以及第四ITO介質(zhì)層。

本發(fā)明可通過如下方案進(jìn)行改進(jìn)：

所述第一ITO介質(zhì)層的厚度為80nm。

所述第一Ag層的厚度為10nm。

所述第二ITO介質(zhì)層的厚度為120nm。

所述第二Ag層的厚度為10nm。

所述第三ITO介質(zhì)層的厚度為120nm。

所述第三Ag層的厚度為10nm。

所述第四ITO介質(zhì)層的厚度為80nm。

本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)：1、本發(fā)明創(chuàng)新地采用7層膜，不但結(jié)構(gòu)簡單，而且能達(dá)到傳統(tǒng)三銀LOW-E玻璃的節(jié)能要求。2、生產(chǎn)設(shè)備簡單，全是金屬濺射，無反應(yīng)濺射，工藝穩(wěn)定。3、設(shè)備投入小。

附圖說明：

圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)剖視圖。

具體實(shí)施方式：

如圖所示，一種結(jié)構(gòu)簡單的三銀LOW-E玻璃，包括玻璃基材1，所述玻璃基材1的上表面由下而上依次設(shè)有第一ITO介質(zhì)層2、第一Ag層3、第二ITO介質(zhì)層4、第二Ag層5、第三ITO介質(zhì)層6、第三Ag層7、以及第四ITO介質(zhì)層8。

進(jìn)一步地，所述第一ITO介質(zhì)層2的厚度為80nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用中頻交流電源濺射氧化銦錫靶、用氬氣作為濺射氣體、摻入少量氧氣制備而成，其中，氬氧比為：(400SCCM～420SCCM):(20～40SCCM)。該層起到底層介質(zhì)層、阻擋層、平整層這三層的作用。可以提高產(chǎn)品透過率，并可以保護(hù)Ag層，阻擋Ag層被侵蝕，造成玻璃氧化。

再進(jìn)一步地，所述第一Ag層3的厚度為10nm，為功能層。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射銀靶、氬氣作為濺射氣體制備而成，氬氣氣體流量為500～550SCCM。

更進(jìn)一步地，所述第二ITO介質(zhì)層4的厚度為120nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用中頻交流電源濺射氧化銦錫靶、用氬氣作為濺射氣體、摻入少量氧氣制備而成，其中，氬氧比為：(400SCCM～420SCCM):(20～40SCCM)。該層起到中間介質(zhì)層、阻擋層、平整層這三層的作用。可以提高產(chǎn)品透過率，并可以保護(hù)Ag層，阻擋Ag層被侵蝕，造成玻璃氧化。

又進(jìn)一步地，所述第二Ag層5的厚度為10nm，為功能層。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射銀靶、氬氣作為濺射氣體制備而成，氬氣氣體流量為500～550SCCM。

再進(jìn)一步地，所述第三ITO介質(zhì)層6的厚度為120nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用中頻交流電源濺射氧化銦錫靶、用氬氣作為濺射氣體、摻入少量氧氣制備而成，其中，氬氧比為：(400SCCM～420SCCM):(20～40SCCM)。該層起到中間介質(zhì)層、阻擋層、平整層這三層的作用。可以提高產(chǎn)品透過率，并可以保護(hù)Ag層，阻擋Ag層被侵蝕，造成玻璃氧化。

更進(jìn)一步地，所述第三Ag層7的厚度為10nm，為功能層。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射銀靶、氬氣作為濺射氣體制備而成，氬氣氣體流量為500～550SCCM。

又進(jìn)一步地，所述第四ITO介質(zhì)層8的厚度為80nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用中頻交流電源濺射氧化銦錫靶、用氬氣作為濺射氣體、摻入少量氧氣制備而成，其中，氬氧比為：(400SCCM～420SCCM):(20～40SCCM)。該層起到頂層介質(zhì)層、阻擋層、保護(hù)層這三層的作用。可以提高產(chǎn)品透過率，并可以保護(hù)Ag層，阻擋Ag層被侵蝕，防止玻璃被機(jī)械及化學(xué)損傷。