[發明專利]半導體測試治具的形成方法

有效

• 申請號: 201410606075.4
• 申請日: 2014-10-30
• 公開（公告）號: CN104319248B
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發明（設計）人: 石磊
• 申請（專利權）人: 通富微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 吳敏

1.一種半導體測試治具的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成若干相互分離的若干同軸測試針頭；

在所述基底上的固定層，所述固定層填充相鄰測試針頭之間的空間且覆蓋測試針頭的部分側壁表面；

其中，所述同軸測試針頭通過半導體集成制作工藝形成，通過半導體集成制作工藝形成測試針頭和固定層的過程包括方案a和b；

方案a，在所述基底上形成第一測試針；形成覆蓋每個第一測試針側壁和頂部表面的絕緣薄膜層；無掩膜刻蝕工藝刻蝕所述絕緣薄膜層在第一測試針的側壁形成絕緣層；形成覆蓋所述絕緣層和第一測試針頂部表面的第二金屬層；無掩膜刻蝕所述第二金屬層，在絕緣層表面形成第二測試針；形成覆蓋所述基底和測試針頭表面的固定材料層；回刻蝕所述固定材料層，形成固定層；

方案b，在所述基底上形成介質層，所述介質層中形成有若干第一通孔和環繞每個第一通孔的環形通孔，第一通孔和環形通孔之間通過部分介質層隔離；在第一通孔中填充金屬形成第一測試針，在環形通孔中填充金屬形成第二測試針；去除第二測試針外側的部分厚度的介質層，第一測試針和第二測試針之間剩余的介質層作為絕緣層，測試針頭之間的基底上剩余的介質層作為固定層。

2.如權利要求1所述的半導體測試治具的形成方法，其特征在于，所述同軸測試針頭包括第一測試針，所述第一測試針包括第一本體、位于第一本體一端的第一測試端以及位于第一本體另一端的第一連接端；覆蓋所述第一測試針的第一本體表面的絕緣層；位于絕緣層表面環繞所述第一測試針的第二測試針，第二測試針與第一測試針同軸，第二測試針包括第二本體、位于第二本體一端的第二測試端以及位于第二本體另一端的第二連接端，所述第二測試端表面與第一測試端表面齊平。

3.如權利要求2所述的半導體測試治具的形成方法，其特征在于，所述第一測試針的形成過程為：在所述基底上形成第一金屬層；刻蝕所述第一金屬層形成若干第一測試針。

4.如權利要求2所述的半導體測試治具的形成方法，其特征在于，所述第一測試針的形成過程為：在所述基底上形成犧牲層，所述犧牲層中具有暴露出基底表面的若干通孔；在所述通孔中填充滿金屬，形成若干第一測試針；去除所述犧牲層。

5.如權利要求1所述的半導體測試治具的形成方法，其特征在于，所述基底內形成有信號傳輸電路，所述信號傳輸電路包括第一輸入端、第一輸出端、第二輸入端和第二輸出端，所述第一輸出端與第一測試針的第一連接端電連接，所述第二輸出端與第二測試針的第二連接端電連接，所述第一輸入端和第二輸入端分別與外部的測試電路電連接。