[發(fā)明專利]一種具有弧邊的指紋識(shí)別芯片的封裝設(shè)備及封裝和切割方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410605485.7 | 申請(qǐng)日: | 2014-10-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104916549B | 公開(公告)日: | 2018-08-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林梓梁 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市東方聚成科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/50 | 分類號(hào): | H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司: | 深圳市科冠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44355 | 代理人: | 王海駿 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 具有 指紋識(shí)別 芯片 封裝 設(shè)備 切割 方法 | ||
1.一種具有弧邊的指紋識(shí)別芯片的封裝設(shè)備,其特征在于,包括一副模具,所述模具分為上模具和下模具,所述下模具內(nèi)設(shè)置有可容納PCB板的槽位,所述PCB板為整張已焊接多組指紋識(shí)別器件的PCB板,所述上模具設(shè)有可容納所述指紋識(shí)別器件的并與所述指紋識(shí)別器件形狀一致的圓形或者橢圓形的具有弧邊的腔體,所述腔體與所述PCB板上的指紋識(shí)別器件對(duì)應(yīng)設(shè)置,所述腔體之間通過熱流道與封裝材料注入口相連接,所述熱流道分為主流道、支流道,所述主流道與所述注入口相通,所述支流道與所述腔體的側(cè)邊相通,所述上模具內(nèi)表面到所述槽位底面的距離與所述PCB板的厚度相等,所述腔體的深度大于所述PCB板表面到所述指紋識(shí)別器件上表面的高度,所述PCB板上具有定位孔,所述槽位設(shè)有可穿過所述定位孔的定位柱,所述上下模具邊緣通過多個(gè)定位銷進(jìn)行連接定位,所述腔體的深度大于所述PCB板表面到所述指紋識(shí)別器件上表面的高度0.035-0.05mm。
2.如權(quán)利要求1所述的具有弧邊的指紋識(shí)別芯片的封裝設(shè)備,其特征在于,所述腔體側(cè)截面均為等腰梯形,所述腔體側(cè)邊與垂直線形成3度到5度夾角。
3.如權(quán)利要求1所述的具有弧邊的指紋識(shí)別芯片的封裝設(shè)備,其特征在于,所述封裝材料采用環(huán)氧樹脂。
4.一種具有弧邊的指紋識(shí)別芯片的封裝和切割方法,應(yīng)用上述權(quán)利要求1或2所述的封裝設(shè)備,其特征在于,
步驟1,將所述PCB板置入所述下模具的槽位中,并且將所述定位柱穿過所述定位孔后定位所述PCB板;
步驟2,將所述上模具通過所述定位銷扣合連接所述下模具;
步驟3,對(duì)所述模具進(jìn)行抽真空處理,從所述注入口注入封裝材料,所述封裝材料呈高溫液態(tài)進(jìn)入所述注入口后依次進(jìn)入所述主流道、支流道,逐步減小注入壓力后從所述指紋識(shí)別器件的側(cè)邊注入所述腔體與指紋識(shí)別器件之間的空隙;
步驟4,保持合模時(shí)間40秒到120秒,使所述封裝材料固化成型,脫模,所述PCB板上的指紋識(shí)別器件被所述封裝材料包裹,形成表面厚度0.035-0.05mm的覆蓋層;
步驟5,從所述PCB板背面針對(duì)每個(gè)識(shí)別芯片標(biāo)畫輪廓線,所述輪廓線與所述識(shí)別芯片輪廓一致;
步驟6,通過刀具或者激光或者兩者的結(jié)合從所述PCB板背面沿所述輪廓線進(jìn)行切割。
5.如權(quán)利要求4所述的具有弧邊的指紋識(shí)別芯片的封裝和切割方法,其特征在于,在所述步驟3之前任意步驟增加加熱模具工作環(huán)節(jié),使模具模腔的溫度達(dá)到溫度160度-200度之間任意度數(shù),并保持該溫度直至所述步驟3結(jié)束。
6.如權(quán)利要求5所述的具有弧邊的指紋識(shí)別芯片的封裝和切割方法,其特征在于,所述切割方法包括先行對(duì)所述PCB板進(jìn)行定位,然后通過激光切割所述識(shí)別芯片具有弧度的邊,然后使用所述刀具進(jìn)行切割所述識(shí)別芯片具有直線的邊。
7.如權(quán)利要求6所述的具有弧邊的指紋識(shí)別芯片的封裝和切割方法,其特征在于,所述激光的切割深度為PCB板的厚度。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





