[發明專利]納米碳酸鎂晶體的制備方法無效
| 申請號: | 201410604674.2 | 申請日: | 2014-11-03 |
| 公開(公告)號: | CN104291366A | 公開(公告)日: | 2015-01-21 |
| 發明(設計)人: | 莫云澤 | 申請(專利權)人: | 蘇州市澤鎂新材料科技有限公司 |
| 主分類號: | C01F5/24 | 分類號: | C01F5/24;B82Y30/00 |
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| 地址: | 215500 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 納米 碳酸鎂 晶體 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及納米碳酸鎂晶體的制備方法。
背景技術
目前納米碳酸鎂晶體的制備方法,制備出納米碳酸鎂晶體的速度慢,制備出的納米碳酸鎂晶體純度不夠高。?
發明內容
本發明的目的在于提供一種納米碳酸鎂晶體的制備方法,其制備出納米碳酸鎂晶體的速度快,制備出的納米碳酸鎂晶體純度高。
為實現上述目的,本發明的技術方案是設計一種納米碳酸鎂晶體的制備方法,包括如下步驟:
1)配制濃度為1mol/l的氨水溶液,并通入一定量的CO2氣體,使NH4+與CO2的摩爾比為2:1,再加入0.1g/l平均粒徑為15nm的納米氧化鎂晶粒,緩慢攪拌均勻,得A溶液;
2)配制濃度為3mol/l的MgCl2溶液,并滴加1.4g/l的乙二胺聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段式聚醚、2.3g/l的烷基醇酰胺聚氧乙烷醚、1.8g/l的羥丙基甲基纖維素,緩慢攪拌均勻,得B溶液;
3)在65℃,向A溶液中緩慢滴加一定量的B溶液,最后維持Mg2+∶NH4+∶CO2的摩爾比為1:4:2,滴加完畢后,緩慢攪拌10分鐘后靜置45分鐘,然后減壓過濾并用無水乙醇反復洗滌5次,最后在120℃下干燥5h,得到產物。
本發明的優點和有益效果在于:提供一種納米碳酸鎂晶體的制備方法,其制備出納米碳酸鎂晶體的速度快,制備出的納米碳酸鎂晶體純度高。
具體實施方式
下面結合實施例,對本發明的具體實施方式作進一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本發明的技術方案,而不能以此來限制本發明的保護范圍。
本發明具體實施的技術方案是:
一種納米碳酸鎂晶體的制備方法,包括如下步驟:
1)配制濃度為1mol/l的氨水溶液,并通入一定量的CO2氣體,使NH4+與CO2的摩爾比為2:1,再加入0.1g/l平均粒徑為15nm的納米氧化鎂晶粒,緩慢攪拌均勻,得A溶液;
2)配制濃度為3mol/l的MgCl2溶液,并滴加1.4g/l的乙二胺聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段式聚醚、2.3g/l的烷基醇酰胺聚氧乙烷醚、1.8g/l的羥丙基甲基纖維素,緩慢攪拌均勻,得B溶液;
3)在65℃,向A溶液中緩慢滴加一定量的B溶液,最后維持Mg2+∶NH4+∶CO2的摩爾比為1:4:2,滴加完畢后,緩慢攪拌10分鐘后靜置45分鐘,然后減壓過濾并用無水乙醇反復洗滌5次,最后在120℃下干燥5h,得到產物。
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以上所述僅是本發明的優選實施方式,應當指出,對于本技術領域的普通技術人員來說,在不脫離本發明技術原理的前提下,還可以做出若干改進和潤飾,這些改進和潤飾也應視為本發明的保護范圍。
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