[發明專利]SONOS器件的工藝方法

在審

• 申請號: 201410604580.5
• 申請日: 2014-10-30
• 公開（公告）號: CN104332443A
• 公開（公告）日: 2015-02-04
• 發明（設計）人: 熊偉;張可鋼;陳華倫;錢文生
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種SONOS器件的工藝方法，其特征在于：包含如下步驟：

第一步，對硅片上SONOS器件進行整體N型深阱注入；

第二步，利用P阱的掩膜版對5V?NMOS器件進行P阱注入，同時進行選擇管器件的阱及閾值電壓調節注入；

第三步，采用隧道注入的掩膜版對SONOS器件區域同時進行P阱和閾值電壓調節注入；

第四步，采用爐管工藝生長ONO層；

第五步，采用ONO層掩膜版刻蝕掉SONOS區域以外的ONO層；

第六步，進入爐管生長柵氧化層，淀積多晶硅，定義形成SONOS器件的柵極及選擇管器件的柵極；

第七步，采用管芯區LDD注入的掩膜版，對SONOS器件進行LDD注入，并進行防止源漏穿通的halo結構注入；

第八步，采用掩膜版對SONOS器件進行重摻雜的源、漏注入。

2.如權利要求1所述的SONOS器件的工藝方法，其特征在于：所述第二步中，該注入由于P阱掩膜版的阻擋，SONOS器件區被阻止，不受注入的影響。

3.如權利要求1所述的SONOS器件的工藝方法，其特征在于：所述第三步中，該注入由于掩膜版的遮擋，選擇管器件區被阻止，不受注入的影響；P阱和隧道注入的兩層光刻打開的區域設置0～0.18μm的重疊區，以確保所有區域都有P阱注入。