[發明專利]低電阻率透明導電膜的制備方法

在審

• 申請號: 201410604067.6
• 申請日: 2014-10-30
• 公開（公告）號: CN104332215A
• 公開（公告）日: 2015-02-04
• 發明（設計）人: 王蕓;倪嘉;彭程;彭小波;金良茂
• 申請（專利權）人: 中國建材國際工程集團有限公司;蚌埠玻璃工業設計研究院
• 主分類號: H01B1/22
• 分類號: H01B1/22;H01B5/14;H01B13/00
• 代理公司: 上海碩力知識產權代理事務所 31251
• 代理人: 王法男

技術領域

本發明涉及本電子信息顯示領域，其制備的的導電膜，是電子信息領域中液晶顯示器(LCD)、等離子顯示器(PDP)、電致發光顯示器(EL/OLED)、觸摸屏(Touch?Panel)等非常重要的薄膜材料。

背景技術

未來移動終端、可穿戴設備、智能家電等產品，對觸摸面板的有著強勁需求，同時隨著觸控面板大尺寸化、低價化，以及傳統ITO薄膜不能用于可彎曲應用，導電性及透光率等本質問題不易克服等因素，眾面板廠商紛紛開始研究ITO的替代品，包括納米銀線、金屬網格、納米碳管以及石墨烯等材料。新材料技術應用可以從智能手機的常用面板尺寸一路延伸到20英寸以上的設備，而且其阻值，延伸性，彎曲性均優于ITO薄膜。

納米銀線技術將是近期新興觸控技術中最有希望替代ITO薄膜的新技術。納米銀線(SNW，silvernanowire)技術，是將納米銀線墨水材料涂抹在柔性或者玻璃基板上，然后利用涂膜技術，制成具有納米級別銀線導電網絡圖案的透明的導電薄膜。由于其特殊的制成物理機制，納米銀線的線寬的直徑非常小，約為50nm，遠小于1um，因而不存在莫瑞干涉的問題，可以應用在各種尺寸的顯示屏幕上。另外，由于線寬較小，銀線技術制成的導電薄膜相比于金屬網格技術制成的薄膜可以達到更高的透光率。其次，納米銀線薄膜相比于金屬網格薄膜具有較小的彎曲半徑，且在彎曲時電阻變化率較小，應用在具有曲面顯示的設備，例如智能手表，手環等上的時候，更具有優勢。

發明內容

本發明旨在提供新型低電阻率透明導電膜(TCF)制備方法。

為了達成上述目的，本發明的提供了一種低電阻率透明導電膜的制備方法，包括如下步驟：(a)利用銀線原料合成高長徑比納米銀線；(b)以步驟(a)中制得的所述銀線為填料調配導電銀漿；(c)將步驟(b)中得到的導電銀漿涂覆在襯底上形成膜層；及(d)對所述膜層后處理。

一些實施例中，所述銀線原料包括硝酸銀，乙二醇，及聚乙烯吡咯烷酮，在100～200℃溫度下反應30～120分鐘，制得所述高長徑比納米銀線其中上述物質的摩爾比如下：硝酸銀：乙二醇：聚乙烯吡咯烷酮＝1：1～20：0.05～5。

一些實施例中，步驟(b)包括：(b1)制備基體樹脂；(b2)按照質量比1:1～20：1混合所述基體樹脂和所述納米銀線；及(b3)加入所述基體樹脂用量1％～3％的固化促進劑混合均勻。

一些實施例中，所述基體樹脂包括質量比為1:0.05～0.5:0.2～2的比例的雙酚A型環氧樹脂，環氧活性稀釋劑，和固化劑4-甲基六氫鄰苯二甲酸的混合物。

一些實施例中，所述固化促進劑包括(1-氰基2-乙基4-甲基咪唑2ZE4MZ-CN)。

一些實施例中，以刮涂，提拉，旋涂方式將所述導電銀漿涂覆于所述襯底上。

一些實施例中，所述襯底包括玻璃，PET，或PVA。

一些實施例中，將鍍完膜的所述襯底基底置于100～350℃溫度條件下熱處理20～200分鐘，得到低電阻率透明導電膜。

與現有技術相比，本發明的優點在于：開發了以高長徑比納米銀線取代球狀納米銀顆粒作為導電銀漿主要填充材料的新技術，實現以漿料中銀線之間的相互接觸來達到導電目的，相比于顆粒式接觸，線狀納米銀在提高可靠性的同時明顯提升了其導電性能。另外，由于線狀排布可以實現以較少的納米銀來實現薄膜導電，因此生產成本也得到了大幅降低，這對產品實現規模化生產具有顯著意義。此外，所配制的導電銀漿具有良好的可印刷性、導電性及超強的附著力，在此基礎上制造的薄膜集透明、輕薄、可彎折、防脫落于一身，這是同類產品所不具備的。

附圖說明

結合附圖，通過下文的詳細說明，可更清楚地理解本發明的上述及其他特征和優點，其中：

圖1本發明實施例的制備方法的流程圖；及

圖2為利用根據本發明實施例的制備方法制備得到的導電膜的示意圖。

具體實施方式

參見本發明具體實施例的附圖，下文將更詳細地描述本發明。然而，本發明可以以許多不同形式實現，并且不應解釋為受在此提出之實施例的限制。相反，提出這些實施例是為了達成充分及完整公開，并且使本技術領域的技術人員完全了解本發明的范圍。

現參考附圖，詳細說明根據本發明實施例的低電阻率透明導電膜的制備方法。