[發(fā)明專利]一種量子點(diǎn)與石墨烯的光敏場(chǎng)效應(yīng)管及其制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410603802.1
• 申請(qǐng)日: 2014-10-30
• 公開（公告）號(hào): CN104362212A
• 公開（公告）日: 2015-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張雅婷;宋效先;王海艷;金露凡
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天津大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/101
• 分類號(hào): H01L31/101;H01L31/0264;H01L31/18
• 代理公司: 天津市北洋有限責(zé)任專利代理事務(wù)所 12201
• 代理人: 溫國林

1.一種量子點(diǎn)與石墨烯的光敏場(chǎng)效應(yīng)管，包括：襯底層，其特征在于，所述襯底層上設(shè)置有二氧化硅層，

所述二氧化硅層上設(shè)置有石墨烯層，所述石墨烯層為單層；所述石墨烯層上設(shè)置有電極層，所述電極層作為整個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極；在所述電極層的中間溝道位置設(shè)置有量子點(diǎn)層，所述電極層的源極和漏極連接導(dǎo)電線。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種量子點(diǎn)與石墨烯的光敏場(chǎng)效應(yīng)管，其特征在于，所述襯底層為高摻雜單晶硅層，厚度在3μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種量子點(diǎn)與石墨烯的光敏場(chǎng)效應(yīng)管，其特征在于，所述二氧化硅層的厚度為300nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種量子點(diǎn)與石墨烯的光敏場(chǎng)效應(yīng)管，其特征在于，所述電極層的厚度為200nm。

5.一種用于權(quán)利要求1-4中任一權(quán)利要求所述的一種量子點(diǎn)與石墨烯的光敏場(chǎng)效應(yīng)管的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

對(duì)襯底層和二氧化硅層的制備；采用濕法轉(zhuǎn)移對(duì)石墨烯層的制備；

對(duì)電極層的制備；以及對(duì)量子點(diǎn)層的制備。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述濕法轉(zhuǎn)移具體為：

1)采用低濃度的聚甲基丙烯酸甲酯溶液，通過勻膠臺(tái)旋轉(zhuǎn)涂覆在銅箔表面，形成聚甲基丙烯酸甲酯/石墨烯/銅箔層對(duì)石墨烯進(jìn)行保護(hù)；

2)將聚甲基丙烯酸甲酯/石墨烯/銅箔置于稀釋后的銅箔腐蝕液中，腐蝕液的容器底部放置二氧化硅/硅基，開始腐蝕銅箔，形成聚甲基丙烯酸甲酯/石墨烯/二氧化硅/硅基；

3)對(duì)聚甲基丙烯酸甲酯/石墨烯/二氧化硅/硅基用去離子水進(jìn)行三次沖洗，去除銅箔腐蝕液殘留；

4)在聚甲基丙烯酸甲酯/石墨烯/二氧化硅/硅基表面滴加丙酮溶液，溶解掉表面聚甲基丙烯酸甲酯保護(hù)層，并等待丙酮揮發(fā)完全；

5)對(duì)步驟4)處理過的器件用去離子水清洗三次，去除丙酮?dú)埩簦?/p>

6)對(duì)步驟5)處理過的器件進(jìn)行焙燒，去除殘留的去離子水。