[發明專利]測試針頭和半導體測試夾具的形成方法

有效

• 申請號: 201410603672.1
• 申請日: 2014-10-30
• 公開（公告）號: CN104282585A
• 公開（公告）日: 2015-01-14
• 發明（設計）人: 石磊
• 申請（專利權）人: 南通富士通微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 應戰;駱蘇華

1.一種測試針頭的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成第一測試針，所述第一測試針包括位于頂部的第一測試端和位于底部的第一連接端；

在第一測試針的側壁上形成絕緣層；

在絕緣層的表面形成第二測試針，所述第二測試針環繞所述第一測試針，所述第二測試針包括位于頂部的第二測試端和位于底部的第二連接端，所述第二測試針的第二測試端具有下凹的第一弧面。

2.如權利要求1所述的測試針頭的形成方法，其特征在于，所述第一測試針的第一測試端表面和絕緣層頂部表面低于第二測試針的第二測試端表面。

3.如權利要求2所述的測試針頭的形成方法，其特征在于，所述第一測試針的第一測試端表面和絕緣層的頂部表面為平面，且第一測試端表面與絕緣層頂部表面齊平，所述第一弧面的一端邊緣與絕緣層的邊緣接觸，第一弧面的另一端邊緣與第二測試針的頂部表面接觸。

4.如權利要求3所述的測試針頭的形成方法，其特征在于，所述第一測試針、絕緣層和第二測試針的形成過程為：在所述基底上形成第一測試針；形成覆蓋所述第一測試針側壁和頂部表面的絕緣薄膜層；無掩膜刻蝕工藝刻蝕所述絕緣薄膜層在第一測試針的側壁形成絕緣層；形成覆蓋所述絕緣層和第一測試針頂部表面的第二金屬層；無掩膜刻蝕所述第二金屬層，在絕緣層表面形成第二測試針；回刻蝕所述第一測試針和絕緣層，使得第一測試針和絕緣層的頂部表面低于第二測試針頂部表面，暴露出第二測試針的部分內側壁表面；對所述第二測試針的暴露的內側壁表面和頂部表面進行圓弧化處理，形成第一弧面。

5.如權利要求2所述的測試針頭的形成方法，其特征在于，所述第一測試針的第一測試端表面和絕緣層的頂部表面具有下凹的第二弧面，所述第一弧面的一端邊緣與第二弧面的邊緣接觸，第一弧面的另一端邊緣與的頂部表面接觸。

6.如權利要求5所述的測試針頭的形成方法，其特征在于，所述第一探測針、第二探測針和絕緣層的形成過程為：在所述基底上形成介質層，所述介質層中形成有第一通孔和環繞所述第一通孔的環形通孔，第一通孔和環形通孔之間通過部分介質層隔離；在第一通孔中填充金屬形成第一測試針，在環形通孔中填充第二金屬形成第二測試針；去除第二測試針外側的介質層，第一測試針和第二測試針之間的介質層作為絕緣層；對所述第一測試針的頂部表面、絕緣層頂部表面和第二測試針的頂部表面進行圓弧化處理，在第二測試針的頂部形成第一弧面，在第一測試針的頂部和絕緣層的頂部形成第二弧面。

7.如權利要求4或6所述的測試針頭的形成方法，其特征在于，所述圓弧化處理為激光刻蝕或等離子刻蝕。

8.一種半導體測試夾具的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成若干第一測試針，所述第一測試針包括位于頂部的第一測試端和位于底部的第一連接端；

在每個第一測試針的側壁上形成絕緣層；

在絕緣層的表面形成第二測試針，所述第二測試針環繞相應的第一測試針，所述第二測試針包括位于頂部的第二測試端和位于底部的第二連接端，所述第二測試針的第二測試端具有下凹的第一弧面。

9.如權利要求8所述的半導體測試夾具的形成方法，其特征在于，所述基底內形成有信號傳輸電路，所述信號傳輸電路包括第一輸入端、第一輸出端、第二輸入端和第二輸出端，所述第一輸出端與第一測試針的第一連接端電連接，所述第二輸出端與第二測試針的第二連接端電連接，所述第一輸入端和第二輸入端分別與外部的測試電路電連接。

10.如權利要求8所述的半導體測試夾具的形成方法，其特征在于，所述第一測試針的形成過程為：在所述基底上形成第一金屬層；刻蝕所述第一金屬層形成若干第一測試針。