[發明專利]一種半導體器件及其制作方法

在審

• 申請號: 201410602326.1
• 申請日: 2014-10-31
• 公開（公告）號: CN105633149A
• 公開（公告）日: 2016-06-01
• 發明（設計）人: 馬萬里
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種制作半導體器件的方法，其特征在于，包括：

在第一類型半導體襯底的上表面形成第二類型外延層，在所述第二類型外 延層中刻蝕出溝槽；

在所述溝槽內生長第一類型外延層；

依次生長柵氧化層和多晶硅層，所述多晶硅層至少覆蓋所述溝槽；

進行第二類型離子注入，形成第二類型體區；

進行第一類型離子注入，在所述第二類型體區中形成第一類型源區；

依次生長介質層和金屬層。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一類型為N型；所述 第二類型為P型。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述溝槽深度為30～60um， 寬度為2～8um。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在進行第一類型離子注入之 前，還包括：在部分所述第二類型體區上覆蓋光刻膠。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，生長介質層后，還包括：刻 蝕掉部分位于第二類型體區上表面的介質層和柵氧化層，以使后續生長的金屬 層與所述第二類型體區相連。

6.一種半導體器件，其特征在于，第一類型半導體襯底的上表面覆蓋有 第二類型外延層，所述第二類型外延層中具有第一類型源區、第二類型體區、 溝槽，所述溝槽內填滿第一類型外延層，至少在所述溝槽上依次設置有柵氧化 層、多晶硅層、介質層和金屬層，所述金屬層與所述第一類型源區和第二類型 體區相連。

7.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述第一類型為N型； 所述第二類型為P型。

8.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述溝槽深度為30～ 60um，寬度為2～8um。

9.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述第一類型源區和 所述第二類型體區位于所述溝槽之外。

10.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，依次設置的柵氧化層 多晶硅層、介質層至少覆蓋所述溝槽。