[發明專利]蝕刻液管理裝置及方法、以及蝕刻液的成分濃度測定方法有效
| 申請號: | 201410601727.5 | 申請日: | 2014-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN105304462B | 公開(公告)日: | 2019-07-19 |
| 發明(設計)人: | 中川俊元;白井浩之 | 申請(專利權)人: | 株式會社平間理化研究所 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 劉婷 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 蝕刻 管理 裝置 方法 以及 成分 濃度 測定 | ||
1.一種蝕刻液管理裝置,其對含有草酸且在含有銦、鎵和鋅的至少一種的被蝕刻膜的蝕刻中所使用的蝕刻液進行管理,
所述蝕刻液管理裝置的特征在于,具備:
電導率計,其對所述蝕刻液的電導率值進行測定;
密度計,其對所述蝕刻液的密度值進行測定;
補充液輸送控制機構,其以如下方式控制向所述蝕刻液補給的補充液的輸送:基于所述蝕刻液的草酸濃度與電導率值之間的相關關系以及所述電導率計的測定結果,使所述草酸濃度處于在所述蝕刻液的銦濃度、鎵濃度和鋅濃度中的任一種濃度與密度值之間存在相關關系的濃度范圍內,并且基于所述蝕刻液的銦濃度、鎵濃度和鋅濃度中的任一種濃度與密度值之間的相關關系以及所述密度計的測定結果,使所述銦濃度、所述鎵濃度和所述鋅濃度中的至少一種濃度成為所管理的濃度的閾值以下。
2.一種蝕刻液管理裝置,其對含有草酸且在含有銦、鎵和鋅的至少一種的被蝕刻膜的蝕刻中所使用的蝕刻液進行管理,
所述蝕刻液管理裝置的特征在于,具備:
電導率計,其對所述蝕刻液的電導率值進行測定;
密度計,其對所述蝕刻液的密度值進行測定;
成分濃度運算機構,其基于由所述電導率計測定出的電導率值以及由所述密度計測定出的密度值,通過多變量解析法來算出所述蝕刻液的草酸濃度并且算出所述蝕刻液的銦濃度、鎵濃度和鋅濃度中的至少一種濃度;
補充液輸送控制機構,其以使由所述成分濃度運算機構算出的所述蝕刻液的草酸濃度處于所管理的濃度范圍內、并且所述蝕刻液的銦濃度、鎵濃度和鋅濃度中的至少一種濃度成為所管理的濃度的閾值以下的方式,控制向所述蝕刻液補給的補充液的輸送。
3.一種蝕刻液管理方法,其對含有草酸且在含有銦、鎵和鋅的至少一種的被蝕刻膜的蝕刻中所使用的蝕刻液進行管理,
所述蝕刻液管理方法的特征在于,包括:
電導率測定工序,對所述蝕刻液的電導率值進行測定;
草酸濃度用補充液輸送控制工序,基于所述蝕刻液的草酸濃度與電導率值之間的相關關系以及所述電導率測定工序的測定結果,以使所述草酸濃度處于在所述蝕刻液的銦濃度、鎵濃度和鋅濃度中的任一種濃度與密度值之間存在相關關系的濃度范圍內的方式,控制向所述蝕刻液補給的補充液的輸送;
密度測定工序,對通過所述草酸濃度用補充液輸送控制工序將草酸濃度管理成所述濃度范圍內的蝕刻液的密度值進行測定;
金屬濃度用補充液輸送控制工序,基于所述蝕刻液的銦濃度、鎵濃度和鋅濃度中的任一種濃度與密度值之間的相關關系以及所述密度測定工序的測定結果,以使所述銦濃度、所述鎵濃度和所述鋅濃度中的至少一種濃度成為所管理的濃度的閾值以下的方式,控制向所述蝕刻液補給的補充液的輸送。
4.一種蝕刻液管理方法,其對含有草酸且在含有銦、鎵和鋅的至少一種的被蝕刻膜的蝕刻中所使用的蝕刻液進行管理,
所述蝕刻液管理方法的特征在于,包括:
電導率測定工序,對所述蝕刻液的電導率值進行測定;
密度測定工序,對所述蝕刻液的密度值進行測定;
成分濃度運算工序,基于通過所述電導率測定工序測定出的電導率值以及通過所述密度測定工序測定出的密度值,通過多變量解析法來算出所述蝕刻液的草酸濃度并且算出所述蝕刻液的銦濃度、鎵濃度和鋅濃度的至少一種濃度;
補充液輸送控制工序,以使通過所述成分濃度運算工序算出的所述蝕刻液的草酸濃度處于所管理的濃度范圍內、并且所述蝕刻液的銦濃度、鎵濃度和鋅濃度中的至少一種濃度成為所管理的濃度的閾值以下的方式,控制向所述蝕刻液補給的補充液的輸送。
5.一種蝕刻液的成分濃度測定方法,其特征在于,包括:
電導率測定工序,對含有草酸且在含有銦、鎵和鋅的至少一種的被蝕刻膜的蝕刻中所使用的蝕刻液的電導率值進行測定;
密度測定工序,對所述蝕刻液的密度值進行測定;
成分濃度運算工序,基于通過所述電導率測定工序測定出的電導率值以及通過所述密度測定工序測定出的密度值,通過多變量解析法來算出所述蝕刻液的草酸濃度并且算出所述蝕刻液的銦濃度、鎵濃度和鋅濃度中的至少一種濃度。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





