[發明專利]一種嵌入式存儲器EMB配置鏈結構和配置方法

有效

• 申請號: 201410601612.6
• 申請日: 2014-10-30
• 公開（公告）號: CN105632548B
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發明（設計）人: 李大偉;劉明
• 申請（專利權）人: 京微雅格（北京）科技有限公司
• 主分類號: G11C11/413
• 分類號: G11C11/413
• 代理公司: 北京億騰知識產權代理事務所 11309
• 代理人: 陳霽

1.一種FPGA芯片中嵌入式存儲器EMB配置鏈結構，其特征在于，所述配置鏈包括:級聯連接的至少兩個EMB；

每個所述EMB包括：配置控制器和靜態隨機存儲器SRAM；

所述配置控制器包括：配置模式寄存器；

當配置模式選擇使能信號cf_ms有效時，每個所述配置模式寄存器接收所述EMB配置鏈的配置數據輸入端口串行輸入的輸入數據，并分別存儲為配置模式選擇信號；

根據所述每個EMB的所述配置控制器的控制，將所述EMB配置鏈的配置數據輸入端口的輸入數據寫入相應的SRAM；并根據當前EMB的所述配置控制器的控制將當前EMB的所述SRAM中存儲的數據輸出給級聯的下一個EMB，或者通過所述EMB配置鏈的配置數據輸出端口輸出。

2.根據權利要求1所述的配置鏈結構，其特征在于，所述配置控制器還包括：旁路寄存器、配置數據寄存器、SRAM寫數據寄存器、SRAM讀數據寄存器和位置數據寄存器；

當使能信號cf-en有效時，根據當前EMB的所述配置模式選擇信號選擇所述旁路寄存器、配置數據寄存器、SRAM寫數據寄存器、SRAM讀數據寄存器或位置數據寄存器中的任一個寄存器工作。

3.根據權利要求2所述的配置鏈結構，其特征在于，所述位置數據寄存器中存儲的位置數據用于指示當前EMB在所述EMB配置鏈中的位置信息。

4.根據權利要求3所述的配置鏈結構，其特征在于，當根據所述配置模式選擇信號選擇所述SRAM寫數據寄存器工作時，所述SRAM寫數據寄存器從所述位置數據的下一比特位的輸入數據開始，檢測所述輸入數據的位寬；

當所述位寬達到指定寬度時，將檢測所述位寬范圍內的輸入數據寫入SRAM中；

其中，每執行一次寫入，向SRAM中寫入數據的存儲地址遞增1。

5.根據權利要求2所述的配置鏈結構，其特征在于，當根據所述配置模式選擇信號選擇所述SRAM讀數據寄存器工作時，所述SRAM讀數據寄存器檢測從SRAM的一個存儲地址中讀取一定位寬的數據，并轉為串行輸出；

其中，每執行一次讀取，從SRAM中讀取數據的存儲地址遞增1。

6.一種如上述權利要求1所述的嵌入式存儲器EMB配置鏈的配置方法，其特征在于，所述方法包括：

對位置數據寄存器進行配置，確定所述EMB配置鏈中各EMB的級聯關系；

當配置模式選擇使能信號cf_ms有效時，對配置模式寄存器進行配置；

根據配置模式寄存器輸出的配置模式選擇信號和使能信號cf-en，選擇對配置數據寄存器進行配置，或通過SRAM寫數據寄存器對SRAM進行配置，或選擇讀取配置數據寄存器中的數據，或通過SRAM讀數據寄存器讀取SRAM中的數據。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，當所述EMB配置鏈中，一個EMB根據當前EMB中的配置模式寄存器輸出的配置模式選擇信號和使能信號cf-en，選擇通過當前EMB中所述SRAM寫數據寄存器對所述SRAM進行配置，或通過所述SRAM讀數據寄存器讀取所述SRAM中的數據時，所述方法還包括：

將所述EMB配置鏈中，除所述當前EMB之外的其它EMB的配置模式寄存器中的配置模式選擇信號配置為用于選擇旁路寄存器工作的配置模式選擇信號。