[發(fā)明專利]支撐單元以及包括其的基板處理裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410601401.2
• 申請(qǐng)日: 2014-10-30
• 公開（公告）號(hào): CN104600019A
• 公開（公告）日: 2015-05-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李元行;河剛來
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 細(xì)美事有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/687
• 分類號(hào): H01L21/687;H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;楊生平

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種基板處理裝置，更詳細(xì)地說，涉及一種利用等離子體的基板處理裝置。

背景技術(shù)

為了制造半導(dǎo)體元件，對(duì)基板執(zhí)行照相平板印刷(photolithography)、蝕刻、灰化(ashing)、離子注入、薄膜沉積以及洗滌等多種工序而在基板上形成所需的圖案。其中，蝕刻工序作為除去形成在基板上的膜中的被選擇的區(qū)域的工序而使用濕式蝕刻和干式蝕刻。

其中，為了進(jìn)行干式蝕刻，使用利用了等離子體的蝕刻裝置。一般來說，為了形成等離子體，要在腔室的內(nèi)部空間形成電磁場(chǎng)，而電磁場(chǎng)將提供到腔室內(nèi)的工藝氣體激發(fā)為等離子體狀態(tài)。

等離子體是指由離子或電子、原子團(tuán)等構(gòu)成的離子化的氣體狀態(tài)。等離子體通過很高的溫度或強(qiáng)電場(chǎng)或高頻電磁場(chǎng)(RF?Electromagnetic?Fields)而生成。半導(dǎo)體元件制造工序中使用等離子體執(zhí)行蝕刻工序。通過等離子體含有的離子粒子與基板碰撞而執(zhí)行蝕刻工序。

一般來說，靜電吸盤包括支撐板和金屬材質(zhì)的機(jī)體。支撐板與機(jī)體通過硅樹脂(silicone)或丙烯酸等有機(jī)粘結(jié)劑(bonder)進(jìn)行相互接合。但是，硅樹脂雖然耐熱性優(yōu)秀，但是熱阻較低。因此，雖然不會(huì)由于在基板處理工序中產(chǎn)生的熱而受到損傷，但存在不能有效地阻斷熱在機(jī)體與支撐板之間移動(dòng)的問題。丙烯酸雖然熱阻優(yōu)秀，但是耐熱性存在問題。雖然丙烯酸能在支撐板與機(jī)體之間防止熱損耗，但是，存在會(huì)由于在基板處理工序中產(chǎn)生的熱而受到損傷的問題。

如上所述，當(dāng)前使用的有機(jī)粘結(jié)劑會(huì)由于耐熱性降低而產(chǎn)生靜電吸盤溫度不均，從而造成壽命降低，以及工序溫度上升有限，并且還存在在執(zhí)行高溫工序的過程中有機(jī)粘結(jié)劑化掉的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題

本發(fā)明的目的在于，提供一種在基板處理工序中使用的靜電吸盤的內(nèi)部的耐熱性優(yōu)秀的支撐單元的制造方法以及包括該支撐單元的基板處理裝置。

本發(fā)明要解決的問題不限定于上述的課題，根據(jù)本說明書以及附圖，本發(fā)明所屬領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)能清楚地理解尚未提及的技術(shù)。

技術(shù)方案

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)側(cè)面，提供一種支撐單元制造方法，該制造方法提供：由非導(dǎo)電性材質(zhì)構(gòu)成并支撐基板的支撐板；以及配置在所述支撐板的下方并由包括導(dǎo)電性物質(zhì)的材質(zhì)構(gòu)成的底板，在所述支撐板的底面沉積金屬膜，通過銅焊來結(jié)合所述金屬膜與所述底板。

此外，可以在所述支撐板與所述底板之間提供金屬材質(zhì)的填料，將所述填料作為媒介進(jìn)行結(jié)合。

此外，為了最小化由底板與所述支撐板的熱膨脹率差異而造成的熱應(yīng)力，所述底板可以為在所述導(dǎo)電性物質(zhì)中混合添加物質(zhì)的導(dǎo)電性復(fù)合材質(zhì)。

此外，所述導(dǎo)電性物質(zhì)包括鈦(Ti)或Al(鋁)，所述添加物質(zhì)可以包括碳化硅(SiC)、氧化鋁(Al₂O₃)、硅(Si)、石墨(Graphite)、玻璃纖維中的任意一種。

此外，所述添加物質(zhì)可以是熱膨脹率比所述導(dǎo)電性物質(zhì)與所述支撐板的材質(zhì)間的熱膨脹率的差異小的物質(zhì)。

此外，所述導(dǎo)電性復(fù)合物質(zhì)可以包括10-70％的所述添加物質(zhì)。

此外，所述金屬膜可以通過真空沉積或鍍覆而沉積在所述支撐板的底面。

此外，所述金屬膜可以是鈦(Ti)、鎳(Ni)、銀(Ag)中的任意一種。

此外，關(guān)于所述金屬膜的底面或所述底板的上表面或金屬沉積膜的形態(tài)，為了最小化由熱膨脹而造成的應(yīng)力提供有凹凸部，所述凹凸部可以提供為網(wǎng)孔(mesh)形態(tài)或壓紋形態(tài)。

此外，所述填料可以包括鋁(Al)。

此外，可以在所述填料內(nèi)提供有在高溫加熱時(shí)緩沖熱膨脹的金屬網(wǎng)。

此外，所述金屬網(wǎng)可以具有20～80％的孔隙率。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)側(cè)面，提供一種基板支撐單元，其包括：包括用靜電力吸附基板的電極，在底面沉積有金屬膜的非傳導(dǎo)性材質(zhì)的支撐板；以及位于所述支撐板的下部，連接有高頻電源，并通過銅焊與所述金屬膜結(jié)合的底板。

此外，關(guān)于所述金屬膜的底面或所述底板的上表面或金屬沉積膜的形態(tài)，為了最小化由熱膨脹而造成的應(yīng)力提供有凹凸部，所述凹凸部可以提供為網(wǎng)孔形態(tài)或壓紋形態(tài)。