[發(fā)明專利]激光加工方法以及激光加工裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410601145.7
• 申請日: 2014-10-30
• 公開（公告）號: CN104607801B
• 公開（公告）日: 2018-09-11
• 發(fā)明（設計）人: 森重幸雄;巖城邦明
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: B23K26/38
• 分類號: B23K26/38;B23K26/402
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

本發(fā)明提供激光加工方法以及激光加工裝置，其能夠抑制漏光且能夠增大被加工物的厚度方向上的改性層的寬度。在該激光加工方法中，將對被加工物具有透射性的波長的激光線的聚光點定位于被加工物的內(nèi)部而進行照射，在被加工物的內(nèi)部形成改性層，激光線的譜線寬度設定為10pm以下。

技術領域

本發(fā)明涉及對半導體晶片等的被加工物實施激光加工的激光加工方法以及激光加工裝置。

背景技術

在半導體器件制造過程中，利用在大致為圓板形狀的半導體晶片的表面排列成格子狀的分割預定線，劃分為多個區(qū)域，在該劃分的區(qū)域中形成IC、LSI等的器件。進而，沿著分割預定線切割半導體晶片，由此，將形成有器件的區(qū)域分割，制造出各器件。

作為沿著分割預定線來分割上述半導體晶片的方法，嘗試了如下激光加工方法：使用對晶片具有透射性的波長的脈沖激光線，將聚光點定位于應該分割的區(qū)域的內(nèi)部來照射脈沖激光線。使用了該激光加工方法的分割方法是如下技術：從晶片的一面?zhèn)龋瑢哂型干湫缘牟ㄩL的脈沖激光線的聚光點定位于與分割預定線對應的內(nèi)部，沿著分割預定線進行照射，在晶片的內(nèi)部沿著分割預定線連續(xù)地形成改性層，沿著因形成有該改性層而使強度降低的分割預定線施加外力，由此將晶片分割為各個器件(例如，參照專利文獻1)。

在上述激光加工技術中，例如，將對硅晶片具有透射性的1320nm的波長的脈沖激光線的聚光點定位于與分割預定線對應的內(nèi)部，并沿著分割預定線進行照射，在晶片的內(nèi)部沿著分割預定線連續(xù)地形成改性層，具有能夠縮小分割預定線的寬度的優(yōu)點。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特許第3408805號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

然而，由于激光線是從沒有形成器件的背面?zhèn)日丈涞模虼耍瑢Ω男詫拥男纬蓻]有貢獻的激光線成為漏光，存在會損傷在表面上形成的器件這樣的問題。

此外，在為了抑制漏光而使用對硅晶片具有透射性且與光學吸收端接近的波長為1064nm的激光線來形成改性層時，晶片的厚度方向上的改性層的寬度為30μm左右，針對厚度超過100μ的晶片，需要層疊數(shù)層來形成改性層，存在生產(chǎn)性差這樣的問題。

本發(fā)明是鑒于上述事實而完成的，其主要的技術課題在于，提供能夠抑制漏光且能夠增大被加工物的厚度方向上的改性層的寬度的激光加工方法以及激光加工裝置。

用于解決問題的手段

為了解決上述的主要的技術問題，根據(jù)本發(fā)明，提供一種激光加工方法，其將對被加工物具有透射性的波長的激光線的聚光點定位于被加工物的內(nèi)部來進行照射，在被加工物的內(nèi)部形成改性層，所述激光加工方法的特征在于，

激光線的譜線寬度設定為10pm以下。

被加工物為硅基板，激光線的波長設定為1064nm。

此外，根據(jù)本發(fā)明，提供一種激光加工裝置，其具有：卡盤臺(チャックテーブル)，其保持被加工物；激光線照射組件，其對保持在該卡盤臺上的被加工物進行激光加工；以及加工進給組件，其使該卡盤臺與該激光線照射組件沿加工進給方向相對移動，

該激光線照射組件具有：激光線振蕩組件，其振蕩出激光線；以及聚光器，其對從該激光線振蕩組件振蕩發(fā)出的激光線進行會聚之后照射于保持在該卡盤臺上的被加工物，

在該激光線振蕩組件中，所振蕩的激光線的譜線寬度設定為10pm以下。

上述激光線振蕩組件包含激勵光源、激光介質(zhì)和光諧振器，該光諧振器具有使激勵光源發(fā)出的光沿一個方向循環(huán)的循環(huán)光學系統(tǒng)，在該循環(huán)光學系統(tǒng)中，配設有該激光介質(zhì)和標準具(エタロン)，通過該標準具把激光線的譜線寬度設定為10pm以下。