[發明專利]半導體器件封裝

在審

• 申請號: 201410599695.X
• 申請日: 2014-10-31
• 公開（公告）號: CN104600062A
• 公開（公告）日: 2015-05-06
• 發明（設計）人: F.布魯奇;李徳森;R.奧特倫巴;F.施托伊克勒
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L25/18;H01L23/49
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 蔣駿;胡莉莉

背景技術

兩個或更多的功率半導體器件（例如二極管、晶體管等）可被布置在電路中以提供各種配置或功能。例如，兩個MOSFET晶體管可被布置在電路中以提供半橋配置或可雙向地供應電流的雙向開關。例如，可在應用（諸如電功率轉換電路或等離子體顯示設備）中使用雙向開關。

發明內容

在實施例中，半導體器件封裝包括雙向開關電路。雙向開關電路包括：安裝在第一管芯焊盤上的第一半導體晶體管；安裝在第二管芯焊盤上的第二半導體晶體管，第二管芯焊盤與第一管芯焊盤分離；以及在第一晶體管的源極電極和第二晶體管的源極電極之間延伸的導電連接器。

本領域中的技術人員在閱讀下面的詳細描述時和在觀看附圖時將認識到附加的特征和優點。

附圖說明

附圖的元件不一定相對于彼此按比例。相同的參考數字指示對應的相同部分。各種所示的實施例的特征可組合，除非它們排斥彼此。實施例在附圖中被描繪并在接下來的描述中被詳述。

圖1圖示根據第一實施例的半導體器件封裝的示意性橫截面視圖。

圖2圖示示例性雙向開關電路。

圖3圖示根據第二實施例的半導體器件封裝的示意性橫截面視圖。

圖4圖示根據第二實施例的半導體器件封裝的示意性頂視圖。

圖5圖示根據第三實施例的半導體器件封裝的示意性頂視圖。

圖6圖示包括雙向開關電路的功率因子校正電路。

具體實施方式

在下面的詳細描述中，參考形成其一部分的附圖，且其中通過例證示出本發明可被實踐的特定實施例。在這個方面中，參考正被描述的一個或多個圖的方位來使用方向術語（例如“頂部”、“底部”、“前面”、“后面”、“最前部”、“尾部”等）。因為實施例的部件可被定位于多個不同的方位中，所以方向術語用于說明的目的且決不是限制性的。將理解的是，在不脫離本發明的范圍的情況下，其它實施例可被利用，且結構或邏輯改變可被做出。其中下面的詳細描述不應在限制的意義上被理解，且本發明的范圍由所附權利要求限定。

下面將解釋很多實施例。在這種情況下，相同的結構特征由附圖中的相同或相似的參考符號標識。在本描述的上下文中，“橫向”或“橫向方向”應被理解為意指通常平行于半導體材料或半導體載體的橫向長度延伸的方向或長度。橫向方向因此通常平行于這些表面或側面延伸。與其相反，術語“垂直”或“垂直方向”被理解為意指通常垂直于這些表面或側面且因而垂直于橫向方向延伸的方向。垂直方向因此在半導體材料或半導體載體的厚度方向上延伸。

如在這個說明書中采用的，術語“耦合的”和/或“電耦合的”并不打算意指元件必須直接耦合在一起，插入元件可被提供在“耦合的”或“電耦合的”元件之間。

如在本文使用的，“高電壓器件”（例如高電壓耗盡模式晶體管）是為高電壓開關應用優化的電子器件。也就是說，當晶體管斷開時，它能夠阻塞高電壓（例如大約300?V或更高、大約600?V或更高或者大約1200?V或更高），且當晶體管接通時，它對于其中它被使用的應用具有足夠低的接通電阻（RON），即，它在相當大的電流穿過器件時經歷足夠低的傳導損耗。高電壓器件可至少能夠阻塞等于高電壓供電的電壓或在它所用于的電路中的最大電壓。高電壓器件可能能夠阻塞300?V、600?V、1200?V或應用所需的其它適當的阻塞電壓。

如在本文使用的，“低電壓器件”（例如低電壓增強模式晶體管）是能夠阻塞例如在0?V和V_low之間的低電壓但不能夠阻塞高于V_low的電壓的電子器件。V_low可以是大約10?V、大約20?V、大約30?V、大約40?V或在大約5?V和50?V之間，例如在大約10?V和30?V之間。

如在本文使用的，術語“源極電極”和“源極”也分別包括雙極晶體管（例如絕緣柵雙極晶體管）的發射極電極和發射極的功能等效形式。術語“漏極電極”和“漏極”分別包括雙極晶體管（例如絕緣柵雙極晶體管）的集電極和集電極電極的功能等效形式。

圖1圖示根據第一實施例的半導體器件封裝10的示意圖。半導體器件封裝10包括雙向開關電路11。雙向開關電路11包括安裝在第一管芯焊盤13上的第一半導體晶體管12和安裝在第二管芯焊盤15上的第二半導體晶體管14。第二管芯焊盤15與第一管芯焊盤13分離。雙向開關電路11還包括在第一半導體晶體管12的源極電極17和第二半導體晶體管14的源極電極18之間延伸的導電連接器16。