[發明專利]有機發光器件有效
| 申請號: | 201410599363.1 | 申請日: | 2014-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN105097868B | 公開(公告)日: | 2018-08-21 |
| 發明(設計)人: | 李娥玲;梁基燮;徐黃運;高瑠璃;李知炫 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 顧晉偉;董文國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 器件 | ||
1.一種有機發光器件,包括:
基板,所述基板上形成有驅動晶體管;
堤壩,所述堤壩形成在所述基板上并為像素區域提供邊界;
第一電極,所述第一電極形成在所述基板上并與所述驅動晶體管電連接,所述第一電極包括第一截面區和第二截面區,所述第一截面區和所述第二截面區均沿垂直于所述基板的豎直方向的方向取向,所述第一截面區與所述堤壩相鄰,所述第二截面區被所述第一截面區包圍,并且所述第一截面區的面積大于所述第二截面區的面積;
有機層,所述有機層形成在所述第一電極上并在由所述堤壩所提供的邊界內;以及
形成在所述有機層上的第二電極,
在所述第一電極的至少一部分和所述有機層之間的第一絕緣層,
其中所述第一電極在所述第一截面區中的一部分接觸所述有機層,
其中所述第一絕緣層形成在所述第一電極和所述有機層之間的至少臺階部分處。
2.根據權利要求1所述的有機發光器件,
其中,所述驅動晶體管控制流過所述第一電極的所述第一截面區和所述第二截面區兩者的電流。
3.根據權利要求2所述的有機發光器件,
其中,沿所述豎直方向相對于所述堤壩而言,所述第一電極在所述第一截面區中的高度比在所述第二截面區中的高度高。
4.根據權利要求1所述的有機發光器件,
其中,在所述第一電極中,所述第一截面區包括:
選自ITO(銦錫氧化物)、FTO(氟摻雜氧化錫)、ATO(銻錫氧化物)、AZO(鋁摻雜氧化鋅)和IZO(銦鋅氧化物)中的之一的單層;或
包括選自ITO、FTO、ATO、AZO和IZO中的兩者或更多者的多層。
5.根據權利要求1所述的有機發光器件,
其中,所述第一絕緣層連接到所述第一電極的所述第一截面區和所述第二截面區兩者。
6.根據權利要求1所述的有機發光器件,
其中,所述第一絕緣層包括選自SiOx、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST、PZT、苯并環丁烯和基于丙烯酰基的樹脂中的至少之一。
7.根據權利要求1所述的有機發光器件,
其中,所述第一電極的所述第一截面區通過間隙與所述第一電極的所述第二截面區物理地隔開。
8.根據權利要求7所述的有機發光器件,
其中,所述間隙填充有所述有機層。
9.根據權利要求7所述的有機發光器件,還包括:
第二絕緣層,所述第二絕緣層形成在所述第一電極的所述第一截面區與所述第一電極的所述第二截面區之間的所述間隙中,所述第二絕緣層連接到所述第一電極的所述第一截面區和所述第二截面區兩者。
10.根據權利要求9所述的有機發光器件,
其中,所述第二絕緣層包括選自SiOx、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST、PZT、苯并環丁烯和基于丙烯酰基的樹脂中的至少之一。
11.根據權利要求7所述的有機發光器件,
其中,所述第一電極的所述第一截面區沿平行于所述基板的方向為“u”形狀,并且所述第一電極的所述第二截面區沿平行于所述基板的方向為矩形形狀。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





