[發明專利]集成電路、電子電路及保險絲裝置

在審

• 申請號: 201410598980.X
• 申請日: 2014-10-30
• 公開（公告）號: CN105097773A
• 公開（公告）日: 2015-11-25
• 發明（設計）人: 彼得·霍爾茲曼
• 申請（專利權）人: 新唐科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L27/02
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 郭曉宇

1.一種集成電路，其特征在于，包括一電性可重置保險絲裝置，所述電性可重置保險絲裝置包括：

多個可重置保險絲模塊，并聯耦接，各所述可重置保險絲模塊包括一保險絲元件，其特性取決于一第一阻抗狀態及一第二阻抗狀態，所述多個可重置保險絲模塊經組態以至于：

當所述保險絲元件為所述第一阻抗狀態，且在一第一方向上流過各所述保險絲元件的一電流超過一電流界限時，所述保險絲元件進入所述第二阻抗狀態；以及

當所述保險絲元件為所述第二阻抗狀態，且響應于一全時重置信號及一分時重置信號，在相反于所述第一方向的一第二方向上施加一電流至所述保險絲元件時，所述保險絲元件被重置至所述第一阻抗狀態。

2.如權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述電性可重置保險絲裝置經組態以至于：

當各所述保險絲元件為所述第一阻抗狀態，所述電性可重置保險絲裝置的特性取決于低于一預定低阻抗值的一阻抗；以及

當各所述保險絲元件為所述第二阻抗狀態，所述電性可重置保險絲裝置的特性取決于高于一預定高阻抗值的一阻抗。

3.如權利要求1所述的集成電路，其特征在于，各所述保險絲元件為一電阻式隨機存取存儲器元件。

4.如權利要求1所述的集成電路，其特征在于，各所述保險絲元件為一相變電阻式元件、一磁電阻式隨機存取存儲器元件或一導電橋隨機存取存儲器元件。

5.如權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述電性可重置保險絲裝置經組態以至于所述多個可重置保險絲模塊的所述保險絲元件以交錯時間序列來重置，從而降低重置所述電性可重置保險絲裝置所需的功率。

6.如權利要求1所述的集成電路，其特征在于，各所述可重置保險絲模塊更包括一第一開關裝置、一第二開關裝置、一第三開關裝置、一第四開關裝置，耦接于所述保險絲元件，其中：

所述第一開關裝置、所述保險絲元件以及所述第二開關裝置串聯耦接，用以提供在所述第一方向上通過所述保險絲元件的一導通路徑；以及

所述第三開關裝置、所述保險絲元件以及所述第四開關裝置串聯耦接，用以提供在所述第二方向上通過所述保險絲元件的一導通路徑。

7.如權利要求6所述的集成電路，其特征在于，

所述第一開關裝置為一第一N型金屬氧化物半導體場效應晶體管；

所述第二開關裝置為一第二N型金屬氧化物半導體場效應晶體管；

所述第三開關裝置為一第一P型金屬氧化物半導體場效應晶體管；

所述第四開關裝置為一第三N型金屬氧化物半導體場效應晶體管。

8.如權利要求7所述的集成電路，其特征在于，

所述第二N型金屬氧化物半導體場效應晶體管以及所述第一P型金屬氧化物半導體場效應晶體管耦接至一反向的所述全時重置信號；

所述第一N型金屬氧化物半導體場效應晶體管耦接至一反向的所述分時重置信號；以及

所述第三N型金屬氧化物半導體場效應晶體管耦接至所述分時重置信號；

其中各所述可重置保險絲模塊的所述分時重置信號為時間交錯，從而降低重置所述電性可重置保險絲裝置所需的功率。

9.一種電子電路，其特征在于，包括：

一電路模塊，具有一最大電流容忍值；以及

一電性可重置保險絲裝置；

其中所述電路模塊以及所述電性可重置保險絲裝置串聯耦接于一正供電軌及一負供電軌之間；

其中所述電性可重置保險絲裝置包括并聯耦接的多個可重置保險絲模塊，各所述可重置保險絲模塊包括一保險絲元件，其特性取決于一第一阻抗狀態及一第二阻抗狀態，所述多個可重置保險絲模塊被組態以至于：

當各所述保險絲元件為所述第一阻抗狀態，且一電流在一第一方向上流過各所述保險絲元件時，所述電性可重置保險絲裝置的特性取決于低于一預定低阻抗值的一阻抗；

當流過所述電性可重置保險絲裝置的一電流超出所述電路模塊的所述最大電流容忍值時，各所述保險絲元件進入所述第二阻抗狀態，且所述電性可重置保險絲裝置的特性取決于高于一預定高阻抗值的一阻抗；以及

當一電流在相反于所述第一方向的一第二方向上施加至各所述保險絲元件時，響應于一重置信號，所述保險絲元件被重置至所述第一阻抗狀態。