[發(fā)明專利]一種超寬帶小型化輕薄型雙極化陣列天線

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410598931.6
• 申請日: 2014-10-30
• 公開（公告）號: CN104701603A
• 公開（公告）日: 2015-06-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 莊昆杰
• 申請（專利權(quán)）人: 莊昆杰
• 主分類號: H01Q1/36
• 分類號: H01Q1/36;H01Q15/24;H01Q5/10;H01Q5/25;H01Q1/50;H01Q19/10;H01Q21/24
• 代理公司: 北京中譽威圣知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11279
• 代理人: 郭振興;王正茂

1.一種超寬帶小型化輕薄型雙極化陣列天線，其特征在于，包括：依次設(shè)置的多個輻射片、基片和反射板；

所述基片的正面與所述輻射片相對，且所述基片的正面設(shè)有激勵縫隙；所述基片的背面與所述反射板相對，且所述基片的背面設(shè)有第一功分器及兩路第一傳輸線、第二功分器及兩路第二傳輸線；所述第一傳輸線和所述第二傳輸線分別為兩路極化正交的交叉線極化天線的傳輸線；兩路所述第一傳輸線分別與所述第一功分器的兩個輸出端相連，兩路所述第二傳輸線分別與所述第二功分器的兩個輸出端相連；

兩路所述第一傳輸線和兩路所述第二傳輸線分別與所述激勵縫隙正交相交、并與所述基片正面的金屬面相連，且傳輸線與所述激勵縫隙正交相交的四個正交點對稱分布；

多個輻射片為互相平行設(shè)置的圓形輻射片，且輻射片距離所述基片越遠(yuǎn)，輻射片的直徑越小。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙極化陣列天線，其特征在于，所述激勵縫隙為對稱的漸變形狀，包括：正十字形漸變形狀、菱形十字漸變形狀、工字漸變形狀；

在短路饋點處所述激勵縫隙的寬度最窄，越靠近所述激勵縫隙中央位置所述激勵縫隙的寬度越寬，所述短路饋點為傳輸線與所述激勵縫隙正交相交的正交點。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙極化陣列天線，其特征在于，所述基片背面在所述基片正面的激勵縫隙的映射位置設(shè)置有與所述激勵縫隙形狀相同的十字縫隙，所述十字縫隙與各傳輸線支路相連通；

在所述十字縫隙的中央位置設(shè)有與所述激勵縫隙形成電容耦合的圓形金屬面，所述圓形金屬面的四周都被所述十字縫隙所包圍。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙極化陣列天線，其特征在于，還包括：相移90度等功率分配器；

所述第一功分器和所述第二功分器的輸入端分別與所述相移90度等功率分配器的兩個輸入端相連。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙極化陣列天線，其特征在于，所述基片上設(shè)有多個過孔，且所述過孔沿傳輸線邊沿和/或所述激勵縫隙邊沿分布；所述基片正面的金屬面與所述基片背面的金屬面通過所述過孔相連。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的雙極化陣列天線，其特征在于，還包括：介質(zhì)層；

所述介質(zhì)層設(shè)置于所述輻射片與所述基片的正面之間，以及設(shè)置于多層輻射片之間，所述介質(zhì)層的介電常數(shù)大于空氣的介電常數(shù)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙極化陣列天線，其特征在于，所述基片采用高介電常數(shù)基片，所述介質(zhì)層和所述高介電常數(shù)基片的介電常數(shù)的取值范圍分別為：

1≤M≤10；3.5≤N≤10；

其中，M為介質(zhì)層的介電常數(shù)，N為高介電常數(shù)基片的介電常數(shù)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的雙極化陣列天線，其特征在于，所述輻射片為弧面輻射片，所述弧面輻射片的弧面表面呈碗狀設(shè)置。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的雙極化陣列天線，其特征在于，所述弧面輻射片的碗狀底部形狀包括圓面和平面，且所述弧面輻射片的弧面開口朝上或朝下。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙極化陣列天線，其特征在于，所述輻射片為弧面輻射片，所述弧面輻射片的弧面表面呈碗狀設(shè)置；

所述弧面輻射片的碗狀底部形狀包括圓面和平面，且所述弧面輻射片的弧面開口朝上或朝下。