[發明專利]一種用于平坦化淺溝槽隔離結構的方法

在審

• 申請號: 201410598312.7
• 申請日: 2014-10-30
• 公開（公告）號: CN105632999A
• 公開（公告）日: 2016-06-01
• 發明（設計）人: 李希
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種用于平坦化淺溝槽隔離結構的方法，包括：

提供晶圓，其中所述晶圓包括半導體襯底和在所述半導體襯底中形成的 溝槽，所述半導體襯底上形成有硬掩膜層，并且所述硬掩膜層上和所述溝槽 內形成有介電層；

研磨所述介電層的一部分；

對所述晶圓執行第一清洗步驟；以及

研磨剩余的介電層和所述硬掩膜層的至少一部分。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一清洗步驟包括：

采用氨水結合超聲波清洗所述晶圓；

采用氫氟酸清洗所述晶圓；以及

采用去離子水清洗所述晶圓并將其烘干。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在第一壓盤上研磨所述介 電層的一部分。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在第二壓盤上研磨剩余的 介電層和所述硬掩膜層的至少一部分。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括：在 研磨剩余的介電層和所述硬掩膜層的至少一部分之后，研磨所述晶圓的表面 以去除所述晶圓上的研磨殘留物。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在第三壓盤上研磨所述晶 圓的表面。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括：在 研磨所述晶圓的表面之后，對所述晶圓執行第二清洗步驟。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二清洗步驟包括：

采用氨水結合超聲波清洗所述晶圓；

采用氫氟酸清洗所述晶圓；以及

采用去離子水清洗所述晶圓并將其烘干。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述半導體襯底和所述 硬掩膜層之間形成有緩沖氧化層。

10.一種用于平坦化淺溝槽隔離結構的方法，包括：

提供晶圓，其中所述晶圓包括半導體襯底和在所述半導體襯底中形成的 溝槽，所述半導體襯底上形成有硬掩膜層，并且所述硬掩膜層上和所述溝槽 內形成有介電層；

對所述晶圓執行第一清洗步驟；以及

研磨所述介電層和所述硬掩膜層的至少一部分。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一清洗步驟包括：

采用氨水結合超聲波清洗所述晶圓；

采用氫氟酸清洗所述晶圓；以及

采用去離子水清洗所述晶圓并將其烘干。

12.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，研磨所述介電層和所述 硬掩膜層的至少一部分包括：

在第一壓盤上研磨所述介電層的一部分；

在第二壓盤上研磨剩余的介電層和所述硬掩膜層的所述至少一部分。

13.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括： 在研磨所述介電層和所述硬掩膜層的至少一部分之后，研磨所述晶圓的表面 以去除所述晶圓上的研磨殘留物。

14.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，在第三壓盤上研磨所述 晶圓的表面。

15.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括： 在研磨所述晶圓的表面之后，對所述晶圓執行第二清洗步驟。

16.根據權利要求15所述的方法，其特征在于，所述第二清洗步驟包括：

采用氨水結合超聲波清洗所述晶圓；

采用氫氟酸清洗所述晶圓；以及

采用去離子水清洗所述晶圓并將其烘干。

17.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，在所述半導體襯底和所 述硬掩膜層之間形成有緩沖氧化層。