[發(fā)明專利]一種具有高反射電極的LED芯片及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410596755.2
• 申請(qǐng)日: 2014-10-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104319333B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 易翰翔;郝銳;吳魁;黃惠葵
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東德力光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/42
• 分類號(hào): H01L33/42;H01L33/46;H01L33/00
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種具有高反射電極的LED芯片，包括生長(zhǎng)在襯底上的n型半導(dǎo)體層、多量子阱有源區(qū)和p型半導(dǎo)體層，n型半導(dǎo)體層制作有n型電極，p型半導(dǎo)體層上制作p型電極，其特征在于：所述的p型電極包括依次制作在p型半導(dǎo)體層上的透明導(dǎo)電層、粘附性電流阻擋層、金屬反光層、金屬粘附層、金屬接觸層和絕緣保護(hù)層，所述的絕緣保護(hù)層包覆在透明導(dǎo)電層、粘附性電流阻擋層、金屬反光層、金屬粘附層、金屬接觸層外側(cè)，且絕緣保護(hù)層經(jīng)蝕刻暴露出金屬接觸層；所述透明導(dǎo)電層的材料是ITO或ZnO，所述粘附性電流阻擋層的材料是Al₂O₃，所述金屬反光層的材料為Al、Ag的單一金屬或合金，所述金屬粘附層的材料為Ti、Cr、Pt和Ni中的單一金屬或合金，所述金屬接觸層的材料為Au或Au/Ti合金、Au/Ag合金，所述絕緣保護(hù)層材料為SiO₂、Al₂O₃和SiON的單一或復(fù)合材料。

2.一種具有高反射電極的LED芯片的制備方法，包括：（1）在襯底上依次生長(zhǎng)n型半導(dǎo)體層、多量子阱有源區(qū)和p型半導(dǎo)體層；（2）在所述p型半導(dǎo)體層部分區(qū)域進(jìn)行蝕刻，蝕刻p型半導(dǎo)體層和多量子阱有源區(qū)，暴露n型半導(dǎo)體層；（3）在暴露的n型半導(dǎo)體層上制作n型電極，在未蝕刻的p型半導(dǎo)體層上制作p型電極，其特征在于：所述步驟（3）中，p型電極的制作方法包含如下步驟：

S1 在所述的p型半導(dǎo)體層上制作透明導(dǎo)電層；

S2在所述的透明導(dǎo)電層上鍍上粘附性電流阻擋層；

S3在所述的電流阻擋層上鍍上金屬反光層；

S4對(duì)所述的金屬反光層上鍍上金屬粘附層；

S5在所述的金屬粘附層上鍍上金屬接觸層；

S6在所述的芯片表面蒸鍍絕緣保護(hù)層；

S7對(duì)所述的絕緣保護(hù)層蝕刻，把金屬接觸層裸露出來(lái)；所述步驟S2中，粘附性電流阻擋層是通過(guò)MOCVD制備而成，包括如下制作步驟：

S01將芯片加工品放入LP-MOCVD設(shè)備的反應(yīng)室中，此時(shí)腔體壓力為10-25torr，石墨盤轉(zhuǎn)速在500-1000 r/min之間，在N₂氣氛下加熱到400-700℃，處理5-15分鐘；

S02將Al源、氧源以1:（1-10）的摩爾比送入反應(yīng)室中，同時(shí)改變腔體壓力為15-45torr，開(kāi)始生長(zhǎng)Al₂O₃薄膜，生長(zhǎng)速率為0.5nm/min—10nm/min，生長(zhǎng)時(shí)間為10-100min；

S03生長(zhǎng)過(guò)程結(jié)束后，將腔體壓力提高到50-100torr，增加通入反應(yīng)腔的N₂流量并進(jìn)行吹掃，等待溫度降低至常溫后取出芯片加工品。