[發明專利]利用熔體余熱進行碳熱還原的系統有效
| 申請號: | 201410596701.6 | 申請日: | 2014-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN104477914A | 公開(公告)日: | 2015-04-01 |
| 發明(設計)人: | 吳道洪;王建民;高建;閆方興;郭盼盼 | 申請(專利權)人: | 北京華福神霧工業爐有限公司 |
| 主分類號: | C01B31/32 | 分類號: | C01B31/32 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 李志東 |
| 地址: | 102200 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 利用 余熱 進行 還原 系統 | ||
1.一種利用熔體余熱進行碳熱還原的系統,其特征在于,包括:
還原裝置,所述還原裝置具有物料入口、還原氣體出口和還原產物出口;
熔分裝置,所述熔分裝置具有還原產物入口、高溫熔體出口和尾渣出口,并且所述還原產物入口與所述還原產物出口相連;
混合裝置,所述混合裝置具有碳素原料粉料入口、礦物原料粉料入口和混合粉料出口;
噴吹裝置,所述噴吹裝置具有氣體入口、粉料入口和粉料出口,所述粉料入口與所述混合粉料出口相連;以及
攪拌反應裝置,所述攪拌反應裝置具有殼體、出氣口、高溫熔體噴嘴和多個粉體噴嘴,其中,所述殼體自上而下限定出密封部和反應部,所述反應部限定出反應空間,所述出氣口設置在所述密封部的側壁上,所述高溫熔體噴嘴設置在所述反應部的側壁上且與所述高溫熔體出口相連,所述多個粉體噴嘴設置在所述反應部的側壁上,并且所述高溫熔體噴嘴和所述多個粉體噴嘴在所述反應部的周向上以及軸向上均呈間隔分布,所述多個粉體噴嘴分別與所述粉料出口相連。
2.根據權利要求1所述的利用熔體余熱進行碳熱還原的系統,其特征在于,所述殼體由外至內依次設置有保溫層和耐火層。
3.根據權利要求1所述的利用熔體余熱進行碳熱還原的系統,其特征在于,包括兩個粉體噴嘴,其中,在所述反應部的軸向方向上,自上而下依次設置有高溫熔體噴嘴、第一粉體噴嘴和第二粉體噴嘴。
4.根據權利要求3所述的利用熔體余熱進行碳熱還原的系統,其特征在于,在所述反應部的縱切面上,所述高溫熔體噴嘴的噴料口與所述反應部的側壁呈小于90度的夾角。
5.根據權利要求3所述的利用熔體余熱進行碳熱還原的系統,其特征在于,所述第一粉體噴嘴和所述第二粉體噴嘴的至少一個與液壓缸或氣缸相連,用于調節噴嘴的角度。
6.根據權利要求3所述的利用熔體余熱進行碳熱還原的系統,其特征在于,在所述反應部的縱切面上,所述第一粉體噴嘴設置在所述反應部側壁高度的五分之三到五分之四處。
7.根據權利要求3所述的利用熔體余熱進行碳熱還原的系統,其特征在于,在所述反應部的縱切面上,所述第二粉體噴嘴設置在所述反應部側壁高度的五分之一到三分之一處。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京華福神霧工業爐有限公司,未經北京華福神霧工業爐有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410596701.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





