[發(fā)明專利]一種背面鈍化太陽能電池及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410595792.1
• 申請日: 2014-10-30
• 公開（公告）號: CN104362189A
• 公開（公告）日: 2015-02-18
• 發(fā)明（設計）人: 方結彬;秦崇德;石強;黃玉平;何達能
• 申請（專利權）人: 廣東愛康太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 溫旭

1.一種背面鈍化太陽能電池，其特征在于，包括背面電極、全鋁背電場、背面鈍化層、局部鋁背場、P型硅、N型發(fā)射極、鈍化膜和正面電極；所述背面電極、全鋁背電場、背面鈍化層、P型硅、N型發(fā)射極、鈍化膜和正面電極從下至上依次連接，所述局部鋁背場由腐蝕鋁漿腐蝕所述背面鈍化層燒結后形成，分別與所述全鋁背電場和所述P型硅連接；

所述局部鋁背場為一組平行排列的直條組，均勻分布在背面鈍化層內。

2.如權利要求1所述背面鈍化太陽能電池，其特征在于，所述局部鋁背場面積占所述背面鈍化層面積的1%-10%。

3.如權利要求2所述背面鈍化太陽能電池，其特征在于，所述局部鋁背場的直條寬度為20-30μm，條數為80-150條。

4.如權利要求1所述背面鈍化太陽能電池，其特征在于，所述局部鋁背場通過絲網印刷或噴墨方式在所述背面鈍化層上印刷腐蝕鋁漿燒結后形成。

5.如權利要求1所述背面鈍化太陽能電池，其特征在于，所述背面鈍化層為Al₂O₃/SiN_x復合層或者SiO₂/SiN_x復合層。

6.如權利要求1所述背面鈍化太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）在硅片正面形成絨面，所述硅片為P型硅；

（2）在所述硅片正面進行擴散，形成N型發(fā)射極；

（3）去除擴散過程形成的磷硅玻璃；

（4）在硅片背面沉積三氧化二鋁或者二氧化硅；

（5）在三氧化二鋁層或者二氧化硅層上沉積氮化硅，形成背面鈍化層；

（6）在所述硅片正面形成氮化硅減反射的鈍化膜；

（7）在所述硅片背面印刷背電極漿料，烘干；

（8）在所述硅片背面采用絲網印刷或噴墨方式印刷腐蝕鋁漿，烘干；

（9）在所述硅片背面印刷全鋁背電場漿料，覆蓋住腐蝕鋁漿，形成全鋁背電場，烘干；

（10）在所述硅片正面印刷正電極漿料；

（11）將硅片進行高溫燒結，燒結過程中腐蝕鋁漿腐蝕背面鈍化層，形成連接全鋁背電場和P型硅的局部鋁背場；

所述步驟（8）中采用直條平行排列方式印刷腐蝕鋁漿。

7.如權利要求6所述背面鈍化太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述局部鋁背場面積占所述背面鈍化層面積的1%-10%。

8.如權利要求7所述背面鈍化太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述局部鋁背場的直條寬度為20-30μm，條數為80-150條。

9.如權利要求6所述背面鈍化太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述背面鈍化層為Al₂O₃/SiN_x復合層或者SiO₂/SiN_x復合層。

10.如權利要求6所述背面鈍化太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述背面鈍化層中Al₂O₃或SiO₂?沉積厚度為5-50nm，SiN_x沉積厚度為50-200。