[發明專利]透明導電性薄膜的制造方法

在審

• 申請號: 201410594622.1
• 申請日: 2010-09-28
• 公開（公告）號: CN104360765A
• 公開（公告）日: 2015-02-18
• 發明（設計）人: 中島一裕;菅原英男;梨木智剛
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種透明導電性薄膜的制造方法，其特征在于，

其為在透明基材上依次形成有第1透明電介質層及透明導電層的透明導電性薄膜的制造方法，

所述制造方法具備以下工序：

在透明基材上從該透明基材側開始依次形成第1透明電介質層及透明導電層的工序；

利用蝕刻液蝕刻所述透明導電層而進行圖案化的工序；和

對圖案化了的所述透明導電層進行熱處理，使該透明導電層結晶化的工序，

所述第1透明電介質層由無機物形成，

所述透明導電層通過圖案化形成有圖案部和圖案開口部，

在將對所述圖案部照射白色光時的反射光的色相a^*值及色相b^*值分別設為a^*_P及b^*_P、將對所述圖案開口部的正下方照射白色光時的反射光的色相a^*值及色相b^*值分別設為a^*_O及b^*_O時，滿足0≤|a^*_P-a^*_O|≤4.00的關系，且滿足0≤|b^*_P-b^*_O|≤5.00的關系。

2.根據權利要求1所述的透明導電性薄膜的制造方法，其具有在所述第1透明電介質層和所述透明導電層之間進一步形成折射率與所述第1透明電介質層不同的第2透明電介質層的工序。

3.根據權利要求2所述的透明導電性薄膜的制造方法，其中，

所述第1透明電介質層的光學厚度為3～45nm，

所述第2透明電介質層的光學厚度為3～50nm，

所述透明導電層的光學厚度為20～100nm，

在將所述第2透明電介質層的折射率設為n1、將所述透明導電層的折射率設為n2時，滿足n1＜n2的關系。