[發(fā)明專利]輻射探測電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410594524.8 | 申請日： | 2014-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN104345328B | 公開（公告）日： | 2017-09-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉夢新;劉鑫;趙發(fā)展;韓鄭生 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號： | G01T1/02 | 分類號： | G01T1/02 |
| 代理公司： | 北京漢昊知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 輻射 探測 電路 | ||
1.一種輻射探測電路，包括：
用于感測待測輻射的第一PMOS晶體管(M1)；
與第一PMOS晶體管(M1)連接的第一放大器(A1)；
不感測待測輻射的第二PMOS晶體管(M2)；
與第二PMOS晶體管(M2)相連的第二放大器(A2)；以及
比較模塊，用于將第一放大器(A1)和第二放大器(A2)的輸出進(jìn)行比較，并將其差值進(jìn)行放大輸出，其中，
所述第一放大器(A1)是運(yùn)算放大器，所述第一PMOS晶體管(M1)的源極接電源電壓，漏極連接第一放大器(A1)的共模輸入端，柵極連接所述第一放大器(A1)的差模輸入端，所述第一放大器(A1)的輸出連接所述比較模塊的共模輸入端；
所述第二放大器(A2)是運(yùn)算放大器，所述第二PMOS晶體管(M2)的源極接電源電壓，漏極連接第二放大器(A2)的差模輸入端，柵極連接所述第二放大器(A2)的共模輸入端，所述第二放大器(A2)的輸出連接所述比較模塊的差模輸入端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測電路，其特征在于，所述第一PMOS晶體管(M1)的柵極和第一放大器(A1)的差模輸入端之間存在第一穩(wěn)流電阻(R3)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測電路，其特征在于，所述第二PMOS晶體管(M2)的柵極和第二放大器(A2)的共模輸入端之間存在第二穩(wěn)流電阻(R4)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任何一項(xiàng)所述的輻射探測電路，其特征在于，第一PMOS晶體管(M1)和第二PMOS晶體管(M2)配置完全相同，第一放大器(A1)和第二放大器(A2)的配置完全相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測電路，其特征在于，所述第一、第二PMOS晶體管(M1、M2)工作于飽和區(qū)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測電路，其特征在于，所述比較模塊包括第三放大器(A3)，其輸出信號反映待測輻射的大小。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測電路，其特征在于，所述輻射探測電路還包括穩(wěn)流模塊，所述穩(wěn)流模塊用于為第一PMOS晶體管(M1)和第二PMOS晶體管(M2)的漏極提供相等的穩(wěn)定電流。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的輻射探測電路，其特征在于，所述穩(wěn)流模塊包括：
恒定電壓源(V)，其正極連接所述第一放大器(A1)的共模輸入端和第二放大器(A2)的差模輸入端，負(fù)極接地；
第三穩(wěn)流電阻(R1)，其一端接恒定電壓源的正極，一端接地；
第四穩(wěn)流電阻(R2)，其一端接恒定電壓源的正極，一端接地；
所述第三穩(wěn)流電阻(R1)和第四穩(wěn)流電阻(R2)阻值相等。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學(xué)院微電子研究所，未經(jīng)中國科學(xué)院微電子研究所許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410594524.8/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
