[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201410594450.8
• 申請日: 2014-10-29
• 公開（公告）號: CN104600046B
• 公開（公告）日: 2019-04-02
• 發明（設計）人: 嘉屋旨哲;中原寧;新家東;神田良;栗原智敦;戶田鐵
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

提供了一種半導體器件，包括：第一導電類型的襯底、第一電路區域、分隔區域、第二電路區域和整流元件。整流元件具有：第二導電類型層、第一高濃度第二導電類型區域、第二高濃度第二導電類型區域、元件隔離膜、第一絕緣層和第一導電膜。第一接觸耦合至第一高濃度第二導電類型區域，而第二接觸耦合至第二高濃度第二導電類型區域。第三接觸耦合至第一導電膜。第一接觸、第二接觸和第三接觸彼此分隔開。

相關申請的交叉引用

2013年10月30日提交的日本專利申請No.2013-225360的公開的包括說明書、附圖和摘要的全文以引用的方式全部并入本文。

技術領域

本發明涉及一種半導體器件以及一種適用于半導體器件的技術，該半導體器件例如具有電源電壓彼此不同的兩個電路。

背景技術

作為半導體器件中的一種，已知有一種集成有控制電路半導體器件，該控制電路生成用于功率控制元件的控制信號。在這類半導體器件中，用于功率控制元件的電源電壓高于用于控制電路的電源電壓。因此，可以在控制電路與功率控制元件之間設置第二控制電路，以向功率控制元件輸入控制信號。用于第二控制電路的電源電壓一般高于用于控制電路的電源電壓。因此，在這類半導體器件中，第二控制電路需要與各個低電源電壓的電路分隔開。

在例如專利文件1中已經描述了，通過電平位移電路來向作為第二控制電路的高電壓側驅動電路輸入信號。進一步地，在專利文件1中，通過使用用于控制電路的電源電壓來生成用于高電壓側驅動電路的電源電壓。然后，通過使用p溝道型MOS晶體管來使得用于控制電路的電源電壓與用于高電壓側驅動電路的電源電壓彼此分隔開。

[相關技術文件]

[專利文件]

[專利文件1]日本特開平2006-5182號公報

發明內容

一般而言，在防止電流在兩個電路之間逆流時，常常使用二極管。本發明者發現，當在第一電路以及電源電壓比第一電路更低的第二電路形成在一個襯底中的、將用于第一電路的電源電壓與用于第二電路的電源電壓彼此分隔開的結構中，使用了二極管，并且利用用于第二電路的電源電壓生成用于第一電路的電源電壓時，出現了以下問題。具體而言，由于二極管由PN結構造而成，所以，當使得電流在正向方向上流動時，要求在P側端子與N側端子之間施加至少0.7V左右的電壓。換言之，當將用于第二電路的電源電壓輸送至用于第一電路的電源電壓時，當插入PN結時，由于該結的影響，發生了電壓損失。結果是，有可能降低了電源電壓，由此造成功率損失的增加以及故障的發生。

順便提及，由于在專利文件1中所描述的結構中要求設置p溝道型晶體管，所以半導體器件的大小也相應地增加了。

因此，本發明者已經論述了一種結構，該結構能夠在不使用PN結的情況下使得用于第一電路的電源電壓與用于第二電路的電源電壓彼此分隔開，并且防止半導體器件的大小增加。其他目的和新穎特征將通過對本說明書和附圖的說明而變得顯而易見。