[發(fā)明專(zhuān)利]一種核殼型放射性標(biāo)記碳化硅壓裂支撐劑制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410594045.6
• 申請(qǐng)日: 2014-10-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104446485A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-03-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 遆永周;張鋒;李向輝;閆永杰;呂曉華;李燦然;鄧剛;華成武;王曉慧;孟闖
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 河南省科學(xué)院同位素研究所有限責(zé)任公司;中國(guó)石油大學(xué)（華東）
• 主分類(lèi)號(hào): C04B35/565
• 分類(lèi)號(hào): C04B35/565;C04B35/622;C09K8/80
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種核殼型放射性標(biāo)記碳化硅壓裂支撐劑制備方法，其特征在于，所述放射性標(biāo)記壓裂支撐劑包括碳化硅陶瓷外殼和包埋有放射性物質(zhì)碳化硅陶瓷的芯料組成，其制備包括如下步驟：

SS1：將50～90重量份碳化硅、0～20重量份氧化鋁、0～20重量份高嶺土、0～5重量份膨潤(rùn)土、0～10重量份滑石粉、0～5重量份白云石高速混合均勻，制得粉體；

SS2：取步驟1制備的90～99重量份粉體與具有放射性活度的1～10重量份含鋇-131的鋇鹽，高速混合均勻，噴灑粘結(jié)劑溶液，造粒，制得芯料；

SS3：以步驟2制備的芯料為引子，噴灑同樣的粘結(jié)劑溶液，添加步驟1制備的粉體，二次造粒，在芯料外圍包覆，形成碳化硅陶瓷外殼，核殼厚度比在10：1～5：1，制得素坯顆粒；

SS4：篩分步驟3制得的素坯顆粒，在100～120℃下干燥1～2小時(shí)，使素坯顆粒中水分的含量小于5％，然后在1300～1500℃下燒結(jié)1～3小時(shí)，制得鋇-131標(biāo)記的碳化硅壓裂支撐劑。

2.如權(quán)利要求1所述的核殼型放射性標(biāo)記碳化硅壓裂支撐劑制備方法，其特征在于，步驟1中所述碳化硅、氧化鋁、高嶺土、膨潤(rùn)土、滑石粉、白云石粒徑為2um～20um。

3.如權(quán)利要求1所述的核殼型放射性標(biāo)記碳化硅壓裂支撐劑制備方法，其特征在于，步驟2中所述含鋇-131的鋇鹽為碳酸鋇、鈦酸鋇、氯化鋇、硫酸鋇或它們的組合，優(yōu)選為碳酸鋇。

4.如權(quán)利要求1所述的核殼型放射性標(biāo)記碳化硅壓裂支撐劑制備方法，其特征在于，步驟2中所述含鋇-131的鋇鹽活度比為：8mCi-15mCi/g。

5.如權(quán)利要求1所述的核殼型放射性標(biāo)記碳化硅壓裂支撐劑制備方法，其特征在于，步驟2制得的所述芯料中，含鋇-131鋇鹽的重量含量?jī)?yōu)選為1～5％。

6.如權(quán)利要求1所述的核殼型放射性標(biāo)記碳化硅壓裂支撐劑制備方法，其特征在于，步驟2中所述粘結(jié)劑溶液為0.1～5wt％的聚乙二醇(PEG)、聚乙烯醇(PVA)或羧甲基纖維素鈉(CMC)水溶液。

7.如權(quán)利要求1所述的核殼型放射性標(biāo)記碳化硅壓裂支撐劑制備方法，其特征在于，步驟4中篩分所述素坯顆粒的粒徑為16～35目。

8.如權(quán)利要求1所述的核殼型放射性標(biāo)記碳化硅壓裂支撐劑制備方法，其特征在于，最終制得的鋇-131標(biāo)記的碳化硅壓裂支撐劑，其放射比活度為0.001～0.1mCi/g。

9.按照上述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述制備方法制備的核殼型放射性標(biāo)記碳化硅壓裂支撐劑。