[發明專利]芯片拾取裝置有效
| 申請號: | 201410593412.0 | 申請日: | 2014-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN104319251B | 公開(公告)日: | 2018-02-06 |
| 發明(設計)人: | 杜茂華 | 申請(專利權)人: | 三星半導體(中國)研究開發有限公司;三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司11286 | 代理人: | 劉燦強 |
| 地址: | 215021 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 拾取 裝置 | ||
1.一種芯片拾取裝置,其特征在于,所述芯片拾取裝置包括:
拾取頭;
高壓氣體機構,將預定壓強的氣體提供給拾取頭,以通過拾取頭向待拾取芯片噴吹氣體,從而能夠將待拾取芯片表面的雜質顆粒除去;
真空機構,將預定的真空度施加到拾取頭,以通過拾取頭來拾取芯片;
高度傳感器,測量拾取頭與待拾取芯片之間的距離;
控制器,被構造為:當拾取頭與待拾取芯片之間的距離大于預定距離時,控制器將高壓氣體機構開啟并將真空機構關閉以將預定壓強的氣體提供給拾取頭,從而通過拾取頭向待拾取芯片噴吹氣體,當拾取頭與待拾取芯片之間的距離小于預定距離時,控制器將真空機構開啟并將高壓氣體機構關閉以將預定的真空度施加到拾取頭,從而通過拾取頭向待拾取芯片施加吸力,
所述芯片拾取裝置還包括與拾取頭、高壓氣體機構和真空機構連通的電子閥門,真空機構和高壓氣體機構處于常開狀態,高壓氣體機構和真空機構分別通過高壓氣體通道和真空通道與電子閥門連通。
2.根據權利要求1所述的芯片拾取裝置,其特征在于,高壓氣體機構通過高壓氣體通道與拾取頭連通,真空機構通過真空通道與拾取頭連通。
3.根據權利要求1所述的芯片拾取裝置,其特征在于,當拾取頭與待拾取芯片之間的距離大于預定距離時,控制器控制電子閥門以開啟高壓氣體機構與拾取頭之間的連通并關閉真空機構與拾取頭之間的連通,將預定壓強的氣體提供給拾取頭,從而通過拾取頭向待拾取芯片噴吹氣體。
4.根據權利要求1所述的芯片拾取裝置,其特征在于,當拾取頭與待拾取芯片之間的距離小于預定距離時,控制器控制電子閥門以開啟真空機構與拾取頭之間的連通并關閉高壓氣體機構與拾取頭之間的連通,將預定的真空度施加到拾取頭,從而通過拾取頭向待拾取芯片施加吸力。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





