[發明專利]P型HIT太陽能電池結構有效

申請號：	201410592135.1	申請日：	2014-10-29
公開（公告）號：	CN104300026A	公開（公告）日：	2015-01-21
發明（設計）人：	高影	申請（專利權）人：	高影
主分類號：	H01L31/0747	分類號：	H01L31/0747
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	223800 江蘇省宿***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	hit 太陽能電池結構
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【權利要求書】：

1.一種P型HIT太陽能電池結構：包括P型單晶硅片(1)、P型單晶硅片(1)正反面沉積本征非晶硅膜(2)，在正面的本征非晶硅薄膜(2)上依次沉積N型重摻雜非晶硅膜(3)、SiO2薄膜(5)和N型摻雜石墨烯薄膜(7)，在正面N型石墨烯薄膜(7)上印刷銀金屬柵線正電極(9)；在N型單晶硅片背面的本征非晶硅薄膜(2)上依次沉積P型重摻雜非晶硅薄膜(4)、沉積Al₂O₃薄膜(6)和IWO透明導電薄膜(8)，在背面透明的IWO導電薄膜(8)上印刷銀金屬柵線電極(10)。

2.根據權利要求1所述的P型HIT太陽能電池結構，其特征在于，所述的N型摻雜石墨烯薄膜(7)的石墨烯的摻雜濃度為10¹³cm^-2。

3.根據權利要求1所述的P型HIT太陽能電池結構，其特征在于，所述的本征非晶硅層(2)、n型重摻雜非晶硅層(3)、P型重摻雜非晶硅層(4)、SiO2薄膜(5)、Al₂O₃薄膜(6)緩沖層均采用PECVD沉積。

4.根據權利要求1所述的P型HIT太陽能電池結構，其特征在于，所述的本征非晶硅層厚度(2)在5-15nm。

5.根據權利要求1所述的P型HIT太陽能電池結構，其特征在于，所述的IWO薄膜(8)采用脈沖激光沉積法進行沉積，沉積的厚度約為80nm。

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