[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410591831.0
• 申請(qǐng)日: 2014-10-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104576951B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金英一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11286
• 代理人: 尹淑梅,韓芳

1.一種有機(jī)發(fā)光器件，所述有機(jī)發(fā)光器件包括：

第一像素電極，在基板上；

第一導(dǎo)電膜，在基板上并且被構(gòu)造成覆蓋第一像素電極；

第二導(dǎo)電圖案和絕緣層，順序地形成在第一導(dǎo)電膜上，第二導(dǎo)電圖案和絕緣層具有暴露第一導(dǎo)電膜的頂部的一部分的開(kāi)口；

空穴注入層，在開(kāi)口和絕緣層上，以覆蓋第一導(dǎo)電膜的被暴露的部分；

空穴傳輸層，形成在開(kāi)口和空穴注入層的部分區(qū)域上；

發(fā)射層，在空穴傳輸層上。

2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中，第一導(dǎo)電膜的導(dǎo)電率為10^-5S/cm至10^-3S/cm，第一導(dǎo)電膜的逸出功為5.0eV至5.7eV。

3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中，空穴注入層形成為圍繞絕緣層的被暴露的側(cè)表面和第二導(dǎo)電圖案的被暴露的側(cè)表面。

4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中，第二導(dǎo)電圖案的厚度為1nm至10nm，絕緣層的厚度為10nm至90nm。

5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中，均具有開(kāi)口的第二導(dǎo)電圖案和絕緣層形成像素限定層。

6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中，空穴傳輸層包括其中形成有發(fā)射層的空白區(qū)域。

7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中，通過(guò)凹版涂覆法、狹縫涂覆法、棒涂覆法、噴涂法、真空過(guò)濾法、旋涂法、電泳沉積法、鑄造法、噴墨印刷法或膠版印刷法來(lái)形成絕緣層。

8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中，通過(guò)噴墨印刷法、噴嘴印刷法、凹版印刷法、絲網(wǎng)印刷法、噴射印刷法或靜電噴射印刷法來(lái)形成發(fā)射層。

9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，所述有機(jī)發(fā)光器件還包括：

電子傳輸層，在發(fā)射層上；

電子注入層，在電子傳輸層上。

10.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中，空穴注入層由酞菁化合物、N,N′-二苯基-N,N′-雙-[4-(苯基-間甲苯基-氨基)-苯基]-聯(lián)苯基-4,4′-二胺、4,4′,4″-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺、4,4′,4″-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺、4,4′,4″-三{N,-(2-萘基)-N-苯基氨基}-三苯胺、聚(3,4-乙撐二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸、聚苯胺/樟腦磺酸或聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)形成。

11.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，所述有機(jī)發(fā)光器件還包括：

第二像素電極，在發(fā)射層上；

包封單元，包括交替地形成以覆蓋第二像素電極的一個(gè)或更多個(gè)無(wú)機(jī)層和一個(gè)或更多個(gè)有機(jī)層。

12.一種制造有機(jī)發(fā)光器件的方法，所述方法包括下述步驟：

在基板上形成第一像素電極；

形成第一導(dǎo)電膜以覆蓋第一像素電極；

順序地形成第二導(dǎo)電圖案和絕緣層，以具有暴露第一導(dǎo)電膜的頂部的一部分的開(kāi)口；

在開(kāi)口和絕緣層上形成空穴注入層；

在開(kāi)口和空穴注入層的部分區(qū)域上形成空穴傳輸層；

在空穴傳輸層上形成發(fā)射層。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，形成第二導(dǎo)電圖案的步驟包括：

在第一導(dǎo)電膜上形成第二導(dǎo)電材料；

通過(guò)利用應(yīng)用于第二導(dǎo)電材料的掩模，形成第二導(dǎo)電圖案，以暴露第一導(dǎo)電膜的頂部的所述部分。

14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，順序地形成第二導(dǎo)電圖案和絕緣層的步驟包括通過(guò)利用凹版涂覆法、狹縫涂覆法、棒涂覆法、噴涂法、真空過(guò)濾法、旋涂法、電泳沉積法、鑄造法、噴墨印刷法或膠版印刷法在第二導(dǎo)電圖案上形成絕緣層。

15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，第二導(dǎo)電圖案的厚度為1nm至10nm，絕緣層的厚度為10nm至90nm。

16.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，形成空穴注入層的步驟包括形成空穴注入層，以圍繞絕緣層的被暴露的側(cè)表面和第二導(dǎo)電圖案的被暴露的側(cè)表面。