[發明專利]陣列基板及其制作方法有效
| 申請號: | 201410591712.5 | 申請日: | 2014-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN104299975A | 公開(公告)日: | 2015-01-21 |
| 發明(設計)人: | 徐大林;鄭載潤;王世凱;李根范;張福剛 | 申請(專利權)人: | 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陳源 |
| 地址: | 230012 *** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制作方法 | ||
1.一種陣列基板的制作方法,所述陣列基板包括多個數據線組和與多個數據線組對應相連的多個短路條,其特征在于,所述陣列基板的制作方法包括:
形成包括源漏件、多個數據線組和第一短路條的圖形,多個數據線組中的每條數據線均與所述第一短路條形成為一體結構;
對所述源漏件進行刻蝕,以形成源極和漏極;
斷開不與所述第一短路條對應的數據線組與所述第一短路條之間的連接;
形成多個短路條中除所述第一短路條之外的短路條;
利用連接件將不與所述第一短路條對應的數據線組與各自相應的短路條連接。
2.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,形成多個短路條中除所述第一短路條之外的短路條的步驟與形成包括源漏件、多個數據線組和第一短路條的圖形的步驟同時進行。
3.根據權利要求2所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,多個短路條中除第一短路條之外的短路條位于所述第一短路條的遠離陣列基板的顯示區域的一側。
4.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述制作方法還包括與形成多個短路條中除所述第一短路條之外的短路條的步驟同步進行的:
形成包括柵極和柵線的圖形。
5.根據權利要求4所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,多個短路條中除第一短路條之外的短路條位于所述第一短路條的遠離陣列基板的顯示區域的一側。
6.根據權利要求1至5中任意一項所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,利用連接件將不與所述第一短路條對應的數據線組與各自相應的短路條連接的步驟包括:
形成鈍化層;
在鈍化層上形成多組過孔,每組過孔包括第一過孔和第二過孔,所述第一過孔用于將不與所述第一短路條對應的數據線組露出,所述第二過孔用于將與同一組的第一過孔露出的數據線組對應的短路條露出;
在所述鈍化層上形成包括多個連接件的圖形,每個所述連接件通過一組過孔連接不與所述第一短路條對應的數據線組和各自對應的短路條。
7.根據權利要求6所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述制作方法還包括:形成透明電極;其中,在所述鈍化層上形成包括多個連接件的圖形的步驟與所述形成透明電極的步驟同步進行。
8.根據權利要求1至5中任意一項所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,對所述源漏件進行刻蝕的步驟以及斷開不與所述第一短路條對應的數據線組與所述第一短路條之間的連接的步驟同步進行。
9.根據權利要求8所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,形成包括源漏件、多個數據線組和第一短路條的圖形的步驟包括:
形成數據線金屬層;
在數據線金屬層上形成光刻膠層;
利用半色調掩膜板對所述光刻膠層進行曝光并顯影,以使得光刻膠層形成中間圖形,所述中間圖形包括未曝光光刻膠和半曝光光刻膠,所述半色調掩膜板包括透光區、半透光區和不透光區,透光區對應于數據線組、源漏件、第一短路條,半透光區對應于不與所述第一短路條對應的數據線組的斷開區域,不透光區對應于所述數據線金屬層上需要被刻蝕掉的部分;
以所述中間圖形為掩膜,對所述數據線金屬層進行一次刻蝕,形成包括源漏件、多個數據線組和第一短路條的圖形;
同步進行的對所述源漏件進行刻蝕的步驟以及斷開不與所述第一短路條對應的數據線組與所述第一短路條之間的連接的步驟包括:
對所述中間圖形進行灰化,以去除所述半曝光光刻膠;
以灰化后的圖形作為掩膜對所述數據線金屬層進行二次刻蝕,形成源極和漏極,并且斷開不與所述第一短路條對應的數據線組與所述第一短路條之間的連接。
10.一種陣列基板,其特征在于,所述陣列基板由權利要求1至9中任意一項所述的制作方法制成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





