[發明專利]半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 201410589907.6
• 申請日: 2014-10-28
• 公開（公告）號: CN104576349A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 綿谷力;根岸將人
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L21/301
• 分類號: H01L21/301
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

技術領域

本發明涉及一種半導體裝置的制造方法，其不依賴于解理刀的位置控制的精度，能夠相對于解理目標位置實現高位置精度的解理。

背景技術

為了將半導體襯底進行解理，在半導體襯底的一個面上形成劃線槽后，使解理刀按壓并抵接至相反側的面，實施以劃線槽為起點的解理(例如，參照專利文獻1的圖1(b))。

提出了用于提高該解理的位置精度的制造方法。例如提出了下述制造方法，在該方法中，在解理目標位置的附近，在半導體生長層側形成解理的輔助槽(例如，參照專利文獻2)。另外，還提出了下述制造方法，在該方法中，在形成劃線槽的區域設置不存在特定的半導體層、絕緣膜的開口部，以朝向與形成有劃線槽的面相反側的面，形成從劃線槽直線且垂直地伸展的裂紋(例如，參照專利文獻3)。另外，提出了下述制造方法，在該方法中，在與形成有劃線槽的面相反側的面上，對半導體襯底進行蝕刻而設置凹部(例如，參照專利文獻4)。

專利文獻1：日本特開2012－9517號公報

專利文獻2：日本專利第5151400號公報

專利文獻3：日本專利第4862965號公報

專利文獻4：日本特開2001－284293號公報

現有技術中的前提是，在使解理刀按壓并抵接于與形成有劃線槽的面相反側的面時，劃線槽和解理刀的位置要處于正對。但是，由于解理刀的磨損或者位置控制的精度的不同，有時劃線槽和解理刀的位置偏移。由此，存在實際的解理相對于解理目標位置偏移的問題。

另外，在對半導體襯底進行蝕刻而設置凹部的方法中，在半導體芯片的電極附近形成凹部。在為了將半導體和電極進行歐姆接合而在晶圓制造的最終工序中實施高溫下的熱處理工序時，在凹部處露出的半導體襯底被暴露于高溫環境中。例如在半導體襯底為InP的情況下，InP在高溫環境下分解，分解出的In遷移或者向氣氛中擴散等，從而附著在電極表面。并且，附著在電極表面的In在大氣中成為In氧化物，存在使電極和與其接合的金配線之間的密接性惡化的問題。另外，還存在下述問題，即，額外需要對半導體進行蝕刻而形成凹部的工序。

發明內容

本發明就是為了解決上述課題而提出的，其目的在于，得到一種半導體裝置的制造方法，該半導體裝置的制造方法不依賴于解理刀的位置控制的精度，能夠相對于解理目標位置實現高位置精度的解理。

本發明所涉及的半導體裝置的制造方法的特征在于，具有下述工序：在具有彼此相對的第1及第2主面的半導體襯底的所述第1主面形成多個電極的工序；在所述半導體襯底的所述第1主面形成解理引導圖案的工序，其中，該解理引導圖案覆蓋位于所述多個電極之間的解理目標位置，在所述解理目標位置處具有凹部，該解理引導圖案由與所述半導體襯底不同的材質構成；在所述半導體襯底的所述第2主面，在與所述解理目標位置相對的位置處形成劃線槽的工序；以及使解理刀按壓抵接于形成有所述劃線槽和所述解理引導圖案的所述半導體襯底的所述第1主面，將所述半導體襯底解理的工序。

發明的效果

通過本發明，不依賴于解理刀的位置控制的精度，能夠相對于解理目標位置實現高位置精度的解理。

附圖說明

圖1是表示本發明的實施方式1所涉及的半導體裝置的制造方法的俯視圖。

圖2是表示本發明的實施方式1所涉及的半導體裝置的制造方法的斜視圖。

圖3是表示本發明的實施方式1所涉及的半導體裝置的制造方法的斜視圖。

圖4是表示本發明的實施方式1所涉及的半導體裝置的制造方法的斜視圖。

圖5是表示本發明的實施方式1所涉及的半導體裝置的制造方法的剖面圖。

圖6是表示本發明的實施方式1所涉及的半導體裝置的制造方法的斜視圖。

圖7是表示本發明的實施方式1所涉及的半導體裝置的制造方法的剖面圖。

圖8是表示本發明的實施方式1所涉及的半導體裝置的制造方法的俯視圖。

圖9是表示對比例所涉及的半導體裝置的制造方法的剖面圖。

圖10是表示對比例所涉及的半導體裝置的制造方法的俯視圖。

圖11是表示本發明的實施方式2所涉及的半導體裝置的制造方法的剖面圖。

圖12是表示本發明的實施方式2所涉及的半導體裝置的制造方法的剖面圖。

圖13是表示本發明的實施方式3所涉及的半導體裝置的制造方法的剖面圖。

標號的說明

2半導體襯底，4解理刀，5電極，6解理目標位置，7劃線槽，8解理引導圖案，9凹部

具體實施方式