[發明專利]薄膜晶體管及制備方法、陣列基板及制備方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 201410588974.6
• 申請日: 2014-10-28
• 公開（公告）號: CN104409510A
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發明（設計）人: 李東升;王路
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張天舒

1.一種薄膜晶體管，包括基底，以及設置在基底上方的柵極、源極、漏極和有源層，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括設置在基底上的凸起結構，所述柵極和有源層覆蓋在所述凸起結構上方。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，在所述凸起結構上覆蓋有絕緣保護層，所述柵極設置在所述絕緣保護層上，所述有源層設置在柵極上方且與所述柵極電學絕緣。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，在所述凸起結構上覆蓋有絕緣保護層，所述有源層設置在所述絕緣保護層上，所述柵極設置在所述有源層上方且與所述有源層電學絕緣。

4.根據權利要求2或3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述絕緣保護層的材料為氮化硅、氧化硅或兩者的組合。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述凸起結構的厚度在2um至3um之間。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述凸起結構的材料為樹脂。

7.一種薄膜晶體管的制備方法，包括在基底上方形成柵極、源極、漏極和有源層的步驟，其特征在于，所述制備方法還包括：

在基底上形成凸起結構的步驟，其中，所述柵極和有源層覆蓋在所述凸起結構上方。

8.根據權利要求7所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：在形成所述凸起結構的基底上形成絕緣保護層的步驟，其中所述絕緣保護層覆蓋在所述凸起結構上。

9.一種陣列基板，其特征在于，包括權利要求1至6中任意一項所述的薄膜晶體管。

10.一種陣列基板的制備方法，包括形成薄膜晶體管的步驟，其特征在于，所述薄膜晶體管是采用權利要求7或8所述的制備方法制備的。

11.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求9所述的陣列基板。