[發(fā)明專利]一種在N型太陽電池雙面同時(shí)實(shí)現(xiàn)選擇性摻雜的工藝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410588825.X
• 申請(qǐng)日: 2014-10-28
• 公開（公告）號(hào): CN104393110A
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王偉;盛健;張淳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L21/22
• 代理公司: 常州市科誼專利代理事務(wù)所 32225
• 代理人: 孫彬

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種在N型太陽電池雙面同時(shí)實(shí)現(xiàn)選擇性摻雜的工藝，屬于太陽電池制造技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

目前，現(xiàn)有技術(shù)的太陽電池只有在發(fā)射極才會(huì)使用選擇性摻雜結(jié)構(gòu)，其背電場(chǎng)是不使用選擇性摻雜結(jié)構(gòu)的，該選擇性摻雜結(jié)構(gòu)，選擇性的在金屬接觸區(qū)重?fù)诫s，降低金屬接觸區(qū)的復(fù)合，而且在非金屬接觸區(qū)即鈍化區(qū)輕摻，提高鈍化效果，降低復(fù)合，實(shí)現(xiàn)整個(gè)發(fā)射極總的復(fù)合降低，提高太陽電池的電性能，這樣的結(jié)構(gòu)雖然具有以上特性，但是其不能進(jìn)一步提高太陽電池的電性能。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種在N型太陽電池雙面同時(shí)實(shí)現(xiàn)選擇性摻雜的工藝，本工藝不僅大大降低了整個(gè)太陽電池的復(fù)合，而且進(jìn)一步提升了電池的電性能，同時(shí)本方法實(shí)施成本低，可廣泛運(yùn)用于太陽電池的制備。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案是：一種在N型太陽電池雙面同時(shí)實(shí)現(xiàn)選擇性摻雜的工藝，該工藝包含如下步驟：

a)對(duì)N型晶體硅片進(jìn)行預(yù)處理，使其正面為減反絨面，并在正面上進(jìn)行擴(kuò)散處理，形成重?fù)诫sP++層；

b)對(duì)硅片背面進(jìn)行擴(kuò)散處理，形成重?fù)诫sN++層；

c)分別在步驟a)中所形成的重?fù)诫sP++層的表面和在步驟b)中所形成的重?fù)诫sN++層的表面需要進(jìn)行金屬接觸的區(qū)域上制備一層阻擋刻蝕掩膜，形成相應(yīng)的掩膜區(qū)，相應(yīng)的表面上其余地方形成非掩膜區(qū)；

d)將經(jīng)過步驟c)處理后的半成品放入刻蝕溶液中，對(duì)相應(yīng)的非掩膜區(qū)進(jìn)行刻蝕處理，分別形成輕摻雜P+層和輕摻雜N+層；

e)對(duì)硅片進(jìn)行清洗并去除阻擋刻蝕掩膜，從而在N型太陽電池雙面同時(shí)實(shí)現(xiàn)了選擇性摻雜。

進(jìn)一步，所述的步驟a)具有如下步驟：

a1)對(duì)N型晶體硅片的雙面制作減反絨面，形成N型晶體硅片襯底；

a2)對(duì)N型晶體硅片襯底的雙面進(jìn)行擴(kuò)散處理，形成重?fù)诫sP++層；

a3)在其單面去除重?fù)诫sP++層。

進(jìn)一步，在所述的步驟a)中，對(duì)正面上進(jìn)行硼擴(kuò)散處理。

進(jìn)一步，所述的重?fù)诫sP++層的方阻小于100Ω/口，摻雜表面濃度大于1*10¹⁹cm^-3，刻蝕后的輕摻雜P+層的方阻大于150Ω/口，表面濃度小于1*10¹⁹cm^-3；重?fù)诫sN++層的方阻小于70Ω/口，表面濃度大于1*10²⁰cm^-3，刻蝕后的輕摻雜N+層的方阻大于200Ω/口，表面濃度小于5*10¹⁹cm^-3。

進(jìn)一步，在所述的步驟b)中，對(duì)硅片背面進(jìn)行磷擴(kuò)散處理。

進(jìn)一步，在所述的步驟c)中，制備一層阻擋刻蝕掩膜采用絲網(wǎng)印刷法或油墨噴涂法。

進(jìn)一步，在所述的步驟d)中，刻蝕溶液為氫氟酸、硝酸和水的混合溶液。

采用了上述技術(shù)方案后，本發(fā)明工藝在硅片的雙面進(jìn)行了選擇性摻雜，其正、背面的金屬接觸區(qū)通過此方案選擇性重?fù)剑档土苏⒈趁娼饘俳佑|區(qū)的復(fù)合，正、背面的鈍化區(qū)通過此方案降低了摻雜濃度，提高了鈍化效果，減少了復(fù)合，這樣可以進(jìn)一步降低總的電池復(fù)合，提升電性能；另外，本工藝一步實(shí)現(xiàn)選擇性摻雜，簡(jiǎn)單快速，低成本，利于產(chǎn)業(yè)化。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的在N型太陽電池雙面同時(shí)實(shí)現(xiàn)選擇性摻雜的工藝的工藝流程圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

如圖1所示，一種在N型太陽電池雙面同時(shí)實(shí)現(xiàn)選擇性摻雜的工藝，該工藝包含如下步驟：

a)對(duì)N型晶體硅片進(jìn)行預(yù)處理，使其正面為減反絨面11，并在正面上進(jìn)行擴(kuò)散處理，形成重?fù)诫sP++層2；

b)對(duì)硅片背面進(jìn)行擴(kuò)散處理，形成重?fù)诫sN++層3；

c)分別在步驟a)中所形成的重?fù)诫sP++層2的表面和在步驟b)中所形成的重?fù)诫sN++層3的表面需要進(jìn)行金屬接觸的區(qū)域上制備一層阻擋刻蝕掩膜4，形成相應(yīng)的掩膜區(qū)，相應(yīng)的表面上其余地方形成非掩膜區(qū)；

d)將經(jīng)過步驟c)處理后的半成品投入刻蝕溶液中，對(duì)相應(yīng)的非掩膜區(qū)進(jìn)行刻蝕處理，分別形成輕摻雜P+層5和輕摻雜N+層6；

e)對(duì)硅片進(jìn)行清洗并去除阻擋刻蝕掩膜4，從而在N型太陽電池雙面同時(shí)實(shí)現(xiàn)了選擇性摻雜。