[發(fā)明專利]一種單電極LED芯片的制作方法及芯片結構

有效

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• 申請日: 2014-10-28
• 公開（公告）號: CN104269473A
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發(fā)明（設計）人: 陳立人;其他發(fā)明人請求不公開姓名
• 申請（專利權）人: 聚燦光電科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/36
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮

1.一種單電極LED芯片的制作方法，其特征在于，LED芯片的襯底為藍寶石，所述LED芯片的P電極與N電極分別位于芯片的兩側，具體制作步驟如下：

S1：外延層制作：通過MOCVD在藍寶石襯底上生長GaN外延層，包括依次位于襯底上的N-GaN層、發(fā)光層MQW與P-GaN層；

S2：制作Mesa區(qū)域：通過光刻膠保護、電感耦合等離子體干時刻機臺蝕刻、光刻膠去除的方法在外延層上刻蝕得到所需的區(qū)域；

S3：透明導電層制作：通過電子束蒸發(fā)或磁控濺射方式沉積ITO薄膜后，再通過光刻、刻蝕步驟得到芯片所需的透明導電層；

S4：SiO₂保護層、P電極制作：通過PECVD沉積SiO₂保護層，并通過光刻、蒸鍍、剝離的方式制作SiO₂保護層、P電極；

S5：導入高溫膠帶；

S6：制作N電極：通過蒸鍍方式，在芯片背面蒸鍍導電材料層，且導電材料層向上延伸與N-GaN層相接觸形成N電極。

2.如權利要求1所述的單電極LED芯片的制作方法，其特征在于，所述N電極為環(huán)繞于襯底與N-GaN層周邊的環(huán)繞型電極。

3.如權利要求1所述的單電極LED芯片的制作方法，其特征在于，步驟S4中，首先在Mesa區(qū)域及透明導電層上蒸鍍生長SiO₂保護層，然后在透明導電層上方部分區(qū)域通過光刻、刻蝕、剝離步驟去除部分SiO₂保護層得到P電極的制作區(qū)域，在該制作區(qū)域內制作P電極。

4.如權利要求1所述的單電極LED芯片的制作方法，其特征在于，步驟S4中，首先在透明導電層上側制作P電極，之后在Mesa區(qū)域及透明導電層上蒸鍍生長SiO₂保護層，最終通過打磨減薄SiO₂保護層使得P電極上表面暴露在外。

5.如權利要求1所述的單電極LED芯片的制作方法，其特征在于，在步驟S5之前還包括芯片處理步驟，將芯片減薄、切割，擴膜處理。

6.如權利要求1所述的單電極LED芯片的制作方法，其特征在于，步驟S5中，高溫膠帶粘附于芯片的上面，在導入高溫膠帶前，將芯片背面朝上設置。

7.一種單電極LED芯片結構，其特征在于，所述芯片包括由下至上依次設置的藍寶石襯底、外延層、透明導電層與SiO2保護層，所述透明導電層上設置有P電極，所述襯底的背面生長有N電極；所述外延層包括依次位于襯底上的N-GaN層、發(fā)光層MQW與P-GaN層；所述N電極包覆于襯底周邊并向上延伸與N-GaN層至少部分接觸。