[發(fā)明專利]近紫外光發(fā)射裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410587650.0
• 申請日: 2014-10-28
• 公開（公告）號: CN104576855B
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 韓昌錫;金華睦;崔孝植;黃晶煥;樸起延
• 申請（專利權(quán)）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/30
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11286
• 代理人: 王占杰,譚昌馳

1.一種近紫外光發(fā)射裝置，包括：

n型接觸層，包括AlGaN層或AlInGaN層；

P型接觸層，包括AlGaN層或AlInGaN層；

設(shè)置在所述n型接觸層和所述p型接觸層之間的多重量子阱結(jié)構(gòu)的活性區(qū)域；

設(shè)置在所述n型接觸層和所述活性區(qū)域之間的至少一個電子阻擋層；

設(shè)置在所述n型接觸層和所述活性區(qū)域之間的超晶格層；

設(shè)置在所述超晶格層和所述活性區(qū)域之間的電子注入層；和

設(shè)置在所述n型接觸層和所述超晶格層之間的抗靜電層；

其中，多重量子阱結(jié)構(gòu)的活性區(qū)域包括勢壘層和阱層，勢壘層由AlInGaN或AlGaN形成并且包括第一勢壘層，其設(shè)置在最接近n型接觸層處，并且包括比其他勢壘層更多的Al，

其中，電子阻擋層由AlInGaN或AlGaN形成，且包含比鄰接的層更多的Al，以阻擋電子流入活性區(qū)域，

其中，所述電子注入層比超晶格層具有更多的n型雜質(zhì)摻雜濃度，且第一勢壘層鄰接所述電子注入層，和

其中，第一電子阻擋層設(shè)置在所述抗靜電層和所述超晶格層之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的光發(fā)射裝置，其中，第一勢壘層包含30％到50％的Al。

3.根據(jù)權(quán)利要求2的光發(fā)射裝置，其中，除了第一勢壘層的其他勢壘層由AlInGaN或AlGaN形成，包含10％到30％的Al和1％或更少的In。

4.根據(jù)權(quán)利要求3的光發(fā)射裝置，其中，第一勢壘層由AlInGaN形成，包含1％或更少的In。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的光發(fā)射裝置，其中，所述抗靜電層包括未摻雜AlGaN層、摻雜了比n型接觸層更低濃度的n型雜質(zhì)的低濃度AlGaN層、以及摻雜了比低濃度AlGaN層更高濃度的n型雜質(zhì)的高濃度AlGaN層，

低濃度AlGaN層設(shè)置在未摻雜AlGaN層和高濃度AlGaN層之間，和

第一電子阻擋層鄰接高濃度AlGaN層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的光發(fā)射裝置，其中，所述n型接觸層和所述超晶格層包括少于10％的Al，且所述第一電子阻擋層包含10％到20％的Al。

7.根據(jù)權(quán)利要求1的光發(fā)射裝置，其中，第二電子阻擋層設(shè)置在所述n型接觸層和所述抗靜電層之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求7的光發(fā)射裝置，其中，所述n型接觸層和所述抗靜電層包含小于10％的Al，且所述第二電子阻擋層包含10％到20％的Al。

9.根據(jù)權(quán)利要求7的光發(fā)射裝置，其中，所述n型接觸層包括較低的氮化鎵層、較高的氮化鋁鎵層、以及設(shè)置在較低的氮化鎵層和較高的氮化鋁鎵層之間的多層結(jié)構(gòu)的中間層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9的光發(fā)射裝置，其中，所述多層結(jié)構(gòu)的中間層具有由交替堆疊的AlInN和GaN形成的結(jié)構(gòu)。

11.根據(jù)權(quán)利要求9的光發(fā)射裝置，其中，所述第二電子阻擋層鄰接所述較高的氮化鋁鎵層。

12.根據(jù)權(quán)利要求7的光發(fā)射裝置，其中，所述n型接觸層包括調(diào)制摻雜AlGaN層。

13.根據(jù)權(quán)利要求1的光發(fā)射裝置，所述光發(fā)射裝置還包括：

連接到所述n型接觸層的n-電極，

其中，電子阻擋層設(shè)置在活性區(qū)域的一側(cè)，而不是n型接觸層鄰接n-電極的一側(cè)。

14.根據(jù)權(quán)利要求1的光發(fā)射裝置，其中，活性區(qū)域發(fā)射波長范圍為360nm到390nm的近紫外光。

15.根據(jù)權(quán)利要求14的光發(fā)射裝置，其中，阱層由InGaN形成。