[發明專利]用于硅基AMOLED驅動芯片的像素電路

在審

• 申請號: 201410585194.6
• 申請日: 2014-10-28
• 公開（公告）號: CN104392689A
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發明（設計）人: 楊淼;張白雪;任健雄;曹允
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十五研究所
• 主分類號: G09G3/32
• 分類號: G09G3/32
• 代理公司: 南京天華專利代理有限責任公司 32218
• 代理人: 徐冬濤;瞿網蘭

1.一種用于硅基AMOLED驅動芯片的像素電路，其特征在于：包括驅動管MN2、開關管MP2、壓控電阻和存儲電容C2；所述開關管MP2為P型MOS管，開關管MP2的漏極與輸入電壓源Vdata正向端相連，開關管MP2的源極與所述電容C2的一端、驅動管MN2的柵極相連，開關管MP2的柵極與行選控制信號SEL2相連；所述輸入電壓源Vdata負向端和電容C2的另一端與地GND相連；所述驅動管MN2為N型MOS管，驅動管MN2的漏極與電壓VDD相連，驅動管MN2的源極與所述壓控電阻的一端相連，壓控電阻的另一端與OLED陽極相連，OLED的陰極連接Vcom電壓。

2.根據權利要求1所述的用于硅基AMOLED驅動芯片的像素電路，其特征在于：所述壓控電阻隨著輸入電壓源Vdata電壓減小而阻值增大，使暗態時OLED陽極電壓減小，最小亮度更低；壓控電阻隨著輸入電壓源Vdata電壓增大而阻值減小到可以忽略，使OLED陽極電壓增大，最大亮度不變，增加了OLED發光的對比度。

3.根據權利要求1或2所述的用于硅基AMOLED驅動芯片的像素電路，其特征在于：所述壓控電阻采用P型MOS管MP3。

4.根據權利要求3所述的用于硅基AMOLED驅動芯片的像素電路，其特征在于：所述P型MOS管MP3的源極與所述驅動管MN2的源極相連，P型MOS管MP3的漏極與所述OLED的陽極相連，P型MOS管MP3的柵極與地GND相連。

5.根據權利要求3所述的用于硅基AMOLED驅動芯片的像素電路，其特征在于：所述輸入電壓源Vdata信號較小時，C點電壓較低，P型MOS管MP3工作在亞閾值區，阻值較大；隨著輸入電壓源Vdata信號增大使E點電壓增大，C點電壓隨之增大，MP3進入線性區而阻值減小到可以忽略。