[發明專利]層疊陶瓷電容器

在審

• 申請號: 201410584792.1
• 申請日: 2014-10-27
• 公開（公告）號: CN104576055A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 高島寬和;酒井哲生
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/005;H01G4/008;H01G4/12
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 李逸雪

技術領域

本發明涉及作為電容器元件的一種、且由陶瓷電介質材料來構成電介質層的層疊陶瓷電容器。

背景技術

一般，電容器元件具備交替地層疊了導電體層和電介質層的坯體和在該坯體的外表面設置的外部電極，層疊陶瓷電容器中的電介質層由陶瓷電介質材料構成。

通常，層疊陶瓷電容器在內部具有大致長方體形狀的層疊部，該層疊部交替地緊密地層疊作為內部電極層的多個導電體層和多個陶瓷電介質層而構成，將由陶瓷電介質層構成的外層部和在陶瓷電介質層的內部包含比較少量的導電體層而作為布線部的外層部設置成覆蓋該層疊部，由此形成上述的坯體。

為了使層疊陶瓷電容器具有大容量，需要增加層疊部所包含的相鄰的導電體層間的對置面積。為此，提高導電體層所處的部分的導電體材料的密度、即導電體密度(一般稱為內部電極密度)是有效的，由此提高導電體層的連續性來增加上述的對置面積，由此能夠形成大容量的層疊陶瓷電容器。

作為公開了提高該導電體層的連續性的層疊陶瓷電容器的文獻，例如有特開2013-12418號公報(專利文獻1)。

【專利文獻1】JP特開2013-12418號公報

但是，在提高了導電體層的連續性的情況下，存在容易產生層間剝離(delamination)的問題。在此，層間剝離是指因導電體層的收縮容易度與陶瓷電介質層的收縮容易度之間存在較大的差異而產生的剝離現象，因熱積累，在陶瓷電介質層與導電體層的邊界部該熱積累成為剪力而產生。

特別是，層間剝離容易在緊密地層疊了導電體層和陶瓷電介質層而構成的層疊部與上述外層部之間產生，這會成為降低產品可靠性的原因，在制造過程中會導致成品率的惡化。

發明內容

因此，本發明為了消除上述的問題而完成，目的在于提供一種能夠抑制層間剝離的產生的大容量的層疊陶瓷電容器。

基于本發明的層疊陶瓷電容器具備：坯體，在內部包括層疊部，該層疊部由沿著厚度方向交替地層疊的多個導電體層及多個陶瓷電介質層構成；和外部電極，被設置在上述坯體的外部。上述坯體的外表面由在上述厚度方向上相向的第1主面及第2主面、在與上述厚度方向正交的長度方向上相向的第1端面及第2端面、和在與上述厚度方向及上述長度方向中的任一個方向正交的寬度方向上相向的第1側面及第2側面構成。上述坯體在上述厚度方向上被劃分為：由陶瓷電介質層構成且規定上述第1主面的厚度方向第1外層部、由陶瓷電介質層構成且規定上述第2主面的厚度方向第2外層部、和包括上述層疊部且位于上述厚度方向第1外層部與上述厚度方向第2外層部之間的厚度方向內層部。上述厚度方向內層部所包含的上述多個導電體層之中，配置在最靠近上述第1主面的位置的第1導電體層與構成上述厚度方向第1外層部的陶瓷電介質層相鄰地設置，上述厚度方向內層部所包含的上述多個導電體層之中，配置在最靠近上述第2主面的位置的第2導電體層與構成上述厚度方向第2外層部的陶瓷電介質層相鄰地設置。在基于上述本發明的層疊陶瓷電容器中，上述第1導電體層中的導電體密度及上述第2導電體層中的導電體密度構成為比位于上述第1導電體層與上述第2導電體層之間的其他導電體層中的導電體密都低。

基于上述本發明的層疊陶瓷電容器中，上述第1導電體層及上述第2導電體層可以具有在上述厚度方向上貫通的微細的多個貫通孔，此時通過陶瓷電介質材料填埋上述多個貫通孔。

基于上述本發明的層疊陶瓷電容器中，上述外部電極可以包括以覆蓋上述第1端面的方式設置的第1外部電極和以覆蓋上述第2端面的方式設置的第2外部電極，此時，優選上述多個導電體層中的一部分經由從上述層疊部朝向上述第1端面側延伸的第1布線部而與上述第1外部電極連接，并且上述多個導電體層中的其他一部分經由從上述層疊部朝向上述第2端面側延伸的第2布線部而與上述第2外部電極連接。

基于上述本發明的層疊陶瓷電容器中，上述坯體在上述長度方向上可以被劃分為：由相當于上述第1布線部的部分的上述導電體層及陶瓷電介質層構成且規定上述第1端面的長度方向第1外層部；由相當于上述第2布線部的部分的上述導電體層及陶瓷電介質層構成且規定上述第2端面的長度方向第2外層部；和包括上述層疊部且位于上述長度方向第1外層部與上述長度方向第2外層部之間的長度方向內層部。此時，優選，上述層疊部內的位于上述第1端面側的長度方向第1端部區域中的導電體密度及上述層疊部內的位于上述第2端面側的長度方向第2端部區域中的導電體密度構成為比上述層疊部內的沿著上述長度方向的位于中央的長度方向中央部區域中的導電體密度都低。