[發明專利]電子直線加速器有效
| 申請號： | 201410582019.1 | 申請日： | 2014-10-27 |
| 公開（公告）號： | CN105636331B | 公開（公告）日： | 2020-06-02 |
| 發明（設計）人： | 劉艷芳;章健;汪鵬;李貴;宋瑞英;潘剛;倪成 | 申請（專利權）人： | 上海聯影醫療科技有限公司 |
| 主分類號： | H05H9/00 | 分類號： | H05H9/00;A61N5/10 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201807 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電子 直線 加速器 | ||
1.一種電子直線加速器，其特征在于，包括：
電子束發射裝置，用于發射KV級電子束或MV級電子束；
磁偏轉系統，所述MV級電子束能夠進入磁偏轉系統，并在磁偏轉系統中偏轉后射出；
治療靶，用于接收從所述磁偏轉系統射出的MV級電子束，MV級電子束轟擊治療靶產生治療射線；以及，
成像靶，位于所述電子束發射裝置和所述磁偏轉系統之間的KV級電子束的傳播路線上，用于接收所述KV級電子束，所述KV級電子束轟擊成像靶產生成像射線，所述成像靶配置為能夠被所述MV級電子束穿過。
2.如權利要求1所述的電子直線加速器，其特征在于，所述成像靶固設于所述電子束發射裝置和所述磁偏轉系統之間的KV級電子束的傳播路線上，所述成像靶配置為能夠被所述MV級電子束穿過。
3.如權利要求2所述的電子直線加速器，其特征在于，所述成像靶位于所述MV級電子束進入、射出磁偏轉系統的傳播路線交叉點。
4.如權利要求2所述的電子直線加速器，其特征在于，所述成像靶和治療靶依次位于從所述磁偏轉系統中射出的MV級電子束的傳播路線上。
5.如權利要求4所述的電子直線加速器，其特征在于，所述成像靶具有接收所述KV級電子束的輻射面，所述輻射面與從所述磁偏轉系統中射出的MV級電子束的傳播路線的夾角為銳角，且沿該傳播路線朝向治療靶所在側；
所述KV級電子束轟擊所述輻射面以產生成像射線，所述成像射線在輻射面輻射。
6.如權利要求1所述的電子直線加速器，其特征在于，所述成像靶的密度范圍為：小于等于8g/cm3。
7.如權利要求6所述的電子直線加速器，其特征在于，所述成像靶的材料為不銹鋼、鋁或石墨。
8.如權利要求2所述的電子直線加速器，其特征在于，所述電子束發射裝置包括：電子槍；
位于所述電子槍和成像靶之間的加速管，所述加速管與電子槍連通。
9.如權利要求8所述的電子直線加速器，其特征在于，還包括：
初級準直器和次級準直器，依次位于所述治療靶沿從磁偏轉系統射出的MV級電子束的傳播路線的下游。
10.如權利要求9所述的電子直線加速器，其特征在于，還包括：位于所述初級準直器和次級準直器之間的電離室。
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