[發(fā)明專(zhuān)利]一種保護(hù)電路的基準(zhǔn)信號(hào)產(chǎn)生電路

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410581119.2
• 申請(qǐng)日: 2014-10-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105630052A
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱丹
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 朱丹
• 主分類(lèi)號(hào): G05F1/56
• 分類(lèi)號(hào): G05F1/56
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種電池保護(hù)芯片CMOS基準(zhǔn)源，具體是指一種保護(hù)電路的基準(zhǔn)信號(hào)產(chǎn)生電路。

背景技術(shù)

在模擬，數(shù)模混合，數(shù)字電路中都經(jīng)常會(huì)用到基準(zhǔn)源電路。基準(zhǔn)源電路的穩(wěn)定性直接關(guān)系到整個(gè)電路的性能。低功耗、高精度、小型化是當(dāng)今電池管理芯片的發(fā)展趨勢(shì)，更是滿足應(yīng)用的必然要求，研究電池管理芯片的低功耗有重要的實(shí)用價(jià)值。傳統(tǒng)的基準(zhǔn)設(shè)計(jì)采用基于雙極性晶體管帶隙基準(zhǔn)暴露出兩個(gè)缺點(diǎn)：占用芯片面積很大，不利于降低成本；雙極性晶體管的模型參數(shù)很難精確提取。另外傳統(tǒng)的模擬電路中，MOS管工作在強(qiáng)反型區(qū)也意味著需要更多的功耗，在低功耗設(shè)計(jì)中可以將工作區(qū)域進(jìn)行拓展，以求得功耗和面積之間的平衡。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種保護(hù)電路的基準(zhǔn)信號(hào)產(chǎn)生電路，用于保護(hù)芯片比較器關(guān)于過(guò)充電，過(guò)放電，過(guò)電流的保護(hù)基準(zhǔn)，實(shí)現(xiàn)低溫度系數(shù)、低功耗。

本發(fā)明的目的通過(guò)下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

本發(fā)明一種保護(hù)電路的基準(zhǔn)信號(hào)產(chǎn)生電路，包括依次連接在V_DD電源和V_SS接地之間的啟動(dòng)電路、PTAT產(chǎn)生電路、CTAT產(chǎn)生電路、第一基準(zhǔn)產(chǎn)生電路、第二基準(zhǔn)產(chǎn)生電路，所述的PTAT產(chǎn)生電路還分別與第一基準(zhǔn)產(chǎn)生電路、第二基準(zhǔn)產(chǎn)生電路連接，所述的CTAT產(chǎn)生電路還與第二基準(zhǔn)產(chǎn)生電路連接，還包括分別與啟動(dòng)電路、PTAT產(chǎn)生電路連接的第一關(guān)斷控制電路，分別與CTAT產(chǎn)生電路、第一基準(zhǔn)產(chǎn)生電路、第二基準(zhǔn)產(chǎn)生電路連接的第二關(guān)斷控制電路，在所述第二基準(zhǔn)產(chǎn)生電路上連接有第三關(guān)斷控制電路。

所述的啟動(dòng)電路包括三個(gè)MOS管，即MP1、MP2、MN1，其中MP1的源極連接到V_DD電源，MP1柵極和漏極連接后再連接到MP2的柵極，MP2的柵極連接到MN1的柵極，MN1的源極和漏極都連接到V_SS接地，MP2的源極和漏極均與PTAT產(chǎn)生電路連接，同時(shí)，MP2的源極與第一關(guān)斷控制電路連接。

所述PTAT產(chǎn)生電路包括6個(gè)MOS管和1個(gè)電阻，即：MP3、MP4、MP5、MP6、MN2、MN3、以及電阻R1，其中MP3、MP4源極相連作為電源輸入端，共同連接到V_DD電源，MP5源極連接MP3漏極，MP6源極連接MP4漏極，MP3、MP4、MP5、MP6的柵極相連后與第一關(guān)斷控制電路連接，MN2管柵極和漏極相連后與MP5的漏極連接，MN3的漏極同時(shí)與MP6的漏極、柵極相連，MN2、MN3的柵極相連，MN3的源極和電阻R1連接后，與MN2的源極共連接到V_SS接地，MP6的柵極和漏極相連后作為PTAT產(chǎn)生電路的輸出端口分別與CTAT產(chǎn)生電路、第一基準(zhǔn)產(chǎn)生電路、第二基準(zhǔn)產(chǎn)生電路連接。

所述CTAT產(chǎn)生電路包括6個(gè)MOS管和1個(gè)電阻，即MP7、MP8、MP9、MP10、MN4、MN5、以及電阻R2，其中MP7、MP9的源極相連作為電源輸入端，共同連接到V_DD電源，MP8源極與MP7漏極相連，MP10源極與MP9漏極相連，MP7、MP8的柵極相連后作為CTAT產(chǎn)生電路的輸入口與PTAT產(chǎn)生電路的輸出端口連接，MP9的柵極、MP10的柵極、MP10的漏極相連后作為CTAT產(chǎn)生電路的輸出端口，該輸出端口與第二關(guān)斷控制電路的輸出連接后分別與第一基準(zhǔn)產(chǎn)生電路、第二基準(zhǔn)產(chǎn)生電路連接，MP8的漏極分別與MN5的管柵極、MN4的漏極連接，MP10的漏極連接到MN5的漏極，MN5的源極與MN4的柵極連接后通過(guò)電阻R2連接到V_SS接地，MN4的源極連接到V_SS接地。

所述第一基準(zhǔn)產(chǎn)生電路包括4個(gè)MOS管和一個(gè)電阻，即：MP11、MP12、MP13、MP14、以及電阻R3，其中MP11、MP13源極相連作為電源輸入端，共同連接到V_DD電源，MP12源極與MP11漏極連接，且MP11、MP12的柵極相連后與CTAT產(chǎn)生電路的輸出端口連接，MP14源極與MP13漏極連接，且MP13、MP14的柵極相連后與PTAT產(chǎn)生電路的輸出端口連接，MP12、MP14的漏極相連后作為第一基準(zhǔn)產(chǎn)生電路的輸出V_REF1，同時(shí)通過(guò)電阻R3與V_SS接地。