[發(fā)明專利]用來(lái)控制一記憶裝置的方法以及記憶裝置與控制器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410580094.4
• 申請(qǐng)日: 2014-10-23
• 公開（公告）號(hào): CN105280238A
• 公開（公告）日: 2016-01-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉振宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 慧榮科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C29/42
• 分類號(hào): G11C29/42
• 代理公司: 深圳新創(chuàng)友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

本發(fā)明公開了一種用來(lái)控制一記憶裝置的方法及其相關(guān)的記憶裝置與控制器，包括：從一系統(tǒng)區(qū)塊讀取一第二組錯(cuò)誤更正組態(tài)參數(shù)的編碼數(shù)據(jù)，并利用一低密度奇偶校驗(yàn)引擎譯碼所述編碼數(shù)據(jù)以取得所述第二組錯(cuò)誤更正組態(tài)參數(shù)，而所述低密度奇偶校驗(yàn)引擎儲(chǔ)存一第一組錯(cuò)誤更正組態(tài)參數(shù)，且于譯碼所述編碼數(shù)據(jù)時(shí)，所述低密度奇偶校驗(yàn)引擎基于所述第一組錯(cuò)誤更正組態(tài)參數(shù)進(jìn)行對(duì)應(yīng)于一第一低密度奇偶校驗(yàn)特征矩陣的譯碼；以及控制所述低密度奇偶校驗(yàn)引擎基于所述第二組錯(cuò)誤更正組態(tài)參數(shù)進(jìn)行對(duì)應(yīng)于一第二低密度奇偶校驗(yàn)特征矩陣的運(yùn)作。本發(fā)明的方法、記憶裝置、與控制器可于不同的產(chǎn)品共享相同的控制器芯片，故可省下設(shè)計(jì)多個(gè)版本的控制器芯片所需的成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有涉及閃存(Flash Memory)裝置的錯(cuò)誤更正能力的控制，尤指一種用來(lái)控制一記憶裝置的方法以及其相關(guān)的記憶裝置與控制器。

背景技術(shù)

近年來(lái)由于閃存的技術(shù)不斷地發(fā)展，各種可攜式記憶裝置(例如：符合SD/MMC、CF、MS、XD標(biāo)準(zhǔn)的記憶卡)被廣泛地實(shí)施于諸多應(yīng)用中。因此，這些可攜式記憶裝置中的閃存的訪問(wèn)控制遂成為相當(dāng)熱門的議題。

以常用的NAND型閃存而言，其主要可區(qū)分為單階細(xì)胞(Single Level Cell,SLC)與多階細(xì)胞(Multiple Level Cell,MLC)兩大類的閃存。單階細(xì)胞閃存中的每個(gè)被當(dāng)作記憶細(xì)胞(Memory Cell；亦可稱為「記憶單元」)的晶體管只有兩種電荷值，分別用來(lái)表示邏輯值0與邏輯值1。另外，多階細(xì)胞閃存中的每個(gè)被當(dāng)作記憶細(xì)胞的晶體管的儲(chǔ)存能力則被充分利用，是采用較高的電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)，以通過(guò)不同級(jí)別的電壓在一個(gè)晶體管中記錄多個(gè)位的信息(例如：00、01、11、10)；理論上，多階細(xì)胞閃存的記錄密度可以達(dá)到單階細(xì)胞閃存的記錄密度的兩倍以上，這對(duì)于曾經(jīng)在發(fā)展過(guò)程中遇到瓶頸的NAND型閃存的相關(guān)產(chǎn)業(yè)而言，是非常好的消息。

相較于單階細(xì)胞閃存，由于多階細(xì)胞閃存的價(jià)格較便宜，并且在有限的空間里可提供較大的容量，故多階細(xì)胞閃存很快地成為市面上的可攜式記憶裝置競(jìng)相采用的主流。依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，由于某些類型的多階細(xì)胞閃存的運(yùn)作復(fù)雜，故現(xiàn)有的存儲(chǔ)器控制器需要配置強(qiáng)大的錯(cuò)誤更正機(jī)制，以確保用戶數(shù)據(jù)的正確性。然而，某些問(wèn)題就產(chǎn)生了。例如：因應(yīng)不同的錯(cuò)誤更正能力需求，不同產(chǎn)品的存儲(chǔ)器控制器需要不同的設(shè)計(jì)，使得相關(guān)成本(例如：時(shí)間成本與材料成本)對(duì)應(yīng)地增加。又例如：相較于市場(chǎng)上既有的產(chǎn)品，后續(xù)推出的產(chǎn)品中的存儲(chǔ)器控制器需要變更設(shè)計(jì)，使得相關(guān)成本(例如：時(shí)間成本與材料成本)對(duì)應(yīng)地增加。因此，需要一種新穎的方法來(lái)加強(qiáng)控管閃存的數(shù)據(jù)存取，以在不產(chǎn)生副作用(例如：儲(chǔ)存數(shù)據(jù)錯(cuò)誤)的狀況下提升整體效能。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明的一目的在于公開一種用來(lái)控制一記憶裝置的方法以及其相關(guān)的記憶裝置與控制器，以解決上述問(wèn)題。

本發(fā)明的另一目的在于公開一種用來(lái)控制一記憶裝置的方法以及其相關(guān)的記憶裝置與控制器，以于不同的產(chǎn)品共享相同的控制器芯片。

本發(fā)明的另一目的在于公開一種用來(lái)控制一記憶裝置的方法以及其相關(guān)的記憶裝置與控制器，以在不更換控制器芯片的狀況下提升記憶裝置的運(yùn)作效能。