[發(fā)明專利]一種事務(wù)提交的方法和裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410579796.0 | 申請(qǐng)日: | 2014-10-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105630695B | 公開(公告)日: | 2018-11-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 舒繼武;范捷;王元鋼 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華為技術(shù)有限公司;清華大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G06F12/06 | 分類號(hào): | G06F12/06 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強(qiáng) |
| 地址: | 518129 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 事務(wù) 提交 方法 裝置 | ||
本發(fā)明實(shí)施例公開了一種事務(wù)提交的方法,包括:接收用于向外部存儲(chǔ)器提交事務(wù)關(guān)聯(lián)的M個(gè)數(shù)據(jù)塊的提交請(qǐng)求;其中,所述外部存儲(chǔ)器劃分為N個(gè)組,每個(gè)組包括1個(gè)空閑的存儲(chǔ)單元,M和N為整數(shù),0<M≤N;若所述外部存儲(chǔ)器的每個(gè)組上待寫入的數(shù)據(jù)塊的數(shù)量均滿足小于2,獲取所述M個(gè)數(shù)據(jù)塊中每個(gè)數(shù)據(jù)塊的元數(shù)據(jù);確定每個(gè)數(shù)據(jù)塊寫入的組,并將每個(gè)數(shù)據(jù)塊和關(guān)聯(lián)的元數(shù)據(jù)分別寫入對(duì)應(yīng)的組的空閑的存儲(chǔ)單元中。本發(fā)明實(shí)施例還公開了一種事務(wù)提交的裝置。采用本發(fā)明,能較少數(shù)據(jù)刷寫的次數(shù),提供事務(wù)提交的吞吐量。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)領(lǐng)域,尤其涉及一種事務(wù)提交的方法和裝置。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)的基于DRAM(Dynamic Random Access Memory,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,簡(jiǎn)稱DRAM)的內(nèi)存由于其在擴(kuò)容能力上的限制,使其越來越成為制約系統(tǒng)計(jì)算性能提高的一個(gè)重要障礙。一種阻抗性存儲(chǔ)設(shè)備(Resistive Memory)逐步呈現(xiàn)出取代現(xiàn)有內(nèi)存的趨勢(shì)。阻抗性存儲(chǔ)設(shè)備通過介質(zhì)不同的阻抗?fàn)顟B(tài)來存儲(chǔ)分別存儲(chǔ)“0”和“1”的信息。比較有代表性的阻抗性存儲(chǔ)設(shè)備包括——相變存儲(chǔ)器(PCM,Phase Change Memory)、磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM,Magnetic Random Access Memory)、自旋轉(zhuǎn)移力矩隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(STT-RAM,SpinTorque Transfer Random Access Memory)等。然而,絕大多數(shù)的阻抗性存儲(chǔ)設(shè)備的寫性能與DRAM有較大差距和壽命也不能達(dá)到對(duì)Memory所要求的10^15的要求。另外,為了充分發(fā)揮SCM的性能特點(diǎn),對(duì)SCM(Storage Class Memory,存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存,簡(jiǎn)稱SCM)中數(shù)據(jù)訪問方式與傳統(tǒng)的磁盤以及SSD不同,應(yīng)盡量避免OS(Operation System,操作系統(tǒng),簡(jiǎn)稱OS)參與,而由應(yīng)用程序自己控制和維護(hù)。
應(yīng)用程序?qū)?shù)據(jù)的維護(hù)需要Transaction來保證其數(shù)據(jù)的一致性,在SCM上做事務(wù)Transaction對(duì)系統(tǒng)性能和SCM的壽命會(huì)產(chǎn)生較大影響。其影響主要表現(xiàn)在三個(gè)方面:1、維護(hù)原子性會(huì)產(chǎn)生的冗余寫,這些冗余寫既降低SCM壽命也影響性能。2、高并發(fā)的Transaction會(huì)導(dǎo)致碰撞,取消的Transaction中已經(jīng)寫入SCM的數(shù)據(jù)也將作廢,對(duì)SCM的壽命也會(huì)產(chǎn)生影響。3、保證數(shù)據(jù)的持久性,需要穿過Cache,使用mfence指令和clflush指令分多次將數(shù)據(jù)寫入SCM中,頻繁的刷寫嚴(yán)重降低了SCM性能。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例所要解決的技術(shù)問題在于,提供一種事務(wù)提交的方法。可解決現(xiàn)有技術(shù)中提交事務(wù)時(shí)數(shù)據(jù)刷寫次數(shù)過多的問題。
為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種事務(wù)提交的方法,包括:
接收用于向外部存儲(chǔ)器提交事務(wù)關(guān)聯(lián)的M個(gè)數(shù)據(jù)塊的提交請(qǐng)求;其中,所述外部存儲(chǔ)器劃分為N個(gè)組,每個(gè)組包括1個(gè)空閑的存儲(chǔ)單元,M和N為整數(shù),0<M≤N;
若所述外部存儲(chǔ)器的每個(gè)組上待寫入的數(shù)據(jù)塊的數(shù)量均滿足小于2,獲取所述M個(gè)數(shù)據(jù)塊中每個(gè)數(shù)據(jù)塊的元數(shù)據(jù);
確定每個(gè)數(shù)據(jù)塊寫入的組,并將每個(gè)數(shù)據(jù)塊和關(guān)聯(lián)的元數(shù)據(jù)分別寫入對(duì)應(yīng)的組的空閑的存儲(chǔ)單元中。
結(jié)合第一方面,在第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,所述若所述外部存儲(chǔ)器的每個(gè)組上待寫入的數(shù)據(jù)塊的數(shù)量均滿足小于2,獲取所述M個(gè)數(shù)據(jù)塊中每個(gè)數(shù)據(jù)塊的元數(shù)據(jù),還包括:
獲取版本號(hào)計(jì)數(shù)器的當(dāng)前計(jì)數(shù)值;
將所述當(dāng)前計(jì)數(shù)值賦予所述事務(wù)作為提交版本號(hào),并將所述版本號(hào)計(jì)時(shí)器的當(dāng)前計(jì)數(shù)值加1。
結(jié)合第一方面或第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式,在第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,所述若所述外部存儲(chǔ)器的每個(gè)組上待寫入的數(shù)據(jù)塊的數(shù)量均滿足小于2包括:
獲取寫入所述外部存儲(chǔ)器的寫操作地址;
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