[發明專利]基于鈣鈦礦相有機金屬鹵化物的太陽能電池及其制備方法在審
| 申請號: | 201410579487.3 | 申請日: | 2014-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN104393177A | 公開(公告)日: | 2015-03-04 |
| 發明(設計)人: | 姚冀眾 | 申請(專利權)人: | 姚冀眾;顏步一 |
| 主分類號: | H01L51/44 | 分類號: | H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司: | 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224 | 代理人: | 胡紅娟 |
| 地址: | 310013 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 鈣鈦礦相 有機 金屬 鹵化物 太陽能電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種基于鈣鈦礦相有機金屬鹵化物的太陽能電池,從下至上依次包括襯底、電子傳輸層、鈣鈦礦相有機金屬鹵化物半導體層、空穴傳輸層和對電極層,其特征在于,所述電子傳輸層為致密二氧化鈦納米薄膜,所述致密二氧化鈦納米薄膜的表面粗糙度小于20nm。
2.如權利要求1所述的基于鈣鈦礦相有機金屬鹵化物的太陽能電池,其特征在于,所述電子傳輸層的厚度為150~350nm。
3.如權利要求2所述的基于鈣鈦礦相有機金屬鹵化物的太陽能電池,其特征在于,所述鈣鈦礦相有機金屬鹵化物為CH3NH3PbI3-nCln,n為0.005~0.1。
4.一種如權利要求1~3中任意一項權利要求所述的太陽能電池的制備方法,包括在襯底上依次制備電子傳輸層、鈣鈦礦相有機金屬鹵化物半導體層、空穴傳輸層和對電極層,其特征在于,通過如下步驟制備所述電子傳輸層:
對襯底進行表面處理,然后使二氧化鈦的乙醇溶液在經表面處理的襯底上成膜并進行煅燒,即得到致密二氧化鈦納米薄膜。
5.如權利要求4所述的太陽能電池的制備方法,其特征在于,所述煅燒溫度為450~600℃。
6.如權利要求4所述的太陽能電池的制備方法,其特征在于,所述鈣鈦礦相有機金屬鹵化物半導體層通過如下步驟制備得到:
(1)在所述的電子傳輸層上鋪展PbX2的DMF溶液,干燥后形成PbX2層,所述PbX2為PbI2,或為PbCl2和PbI2的混合物;
(2)將PbX2層置于CH3NH3Y的2-丙醇溶液中浸泡20~60s,取出后在CH3NH3Y飽和氣氛中進行退火處理即得到鈣鈦礦相有機金屬鹵化物半導體層,退火處理溫度為100~150℃,時間為下的10~25min;
當PbX2為PbI2時,CH3NH3Y為CH3NH3Cl;當PbX2為PbCl2和PbI2的混合物時,CH3NH3Y為CH3NH3I。
7.如權利要求6所述的太陽能電池的制備方法,其特征在于,所述步驟(2)中先將步驟(1)形成的PbX2層在2-丙醇溶液中浸泡1~2s后再置于CH3NH3Y的2-丙醇溶液。
8.如權利要7所述的太陽能電池的制備方法,其特征在于,當X為Cl時,所述步驟(1)中PbX2的DMF溶液中PbX2的濃度為0.5~1.5mol/L。
9.如權利要求8所述的太陽能電池的制備方法,其特征在于,當CH3NH3Y為CH3NH3Cl和CH3NH3I的混合物時,CH3NH3Cl的和CH3NH3I的摩爾比為1:(1~9)。
10.如權利要7所述的太陽能電池的制備方法,其特征在于,所述CH3NH3Y的2-丙醇溶液中CH3NH3Y的濃度為5~15mg/ml。
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H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
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H01L51-54 .. 材料選擇





