[發明專利]LED結構及其形成方法

在審

• 申請號: 201410578918.4
• 申請日: 2014-10-24
• 公開（公告）號: CN105591000A
• 公開（公告）日: 2016-05-18
• 發明（設計）人: 謝春林
• 申請（專利權）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/02;H01L33/00
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 張大威

1.一種LED結構，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底之上的第一導電類型半導體層；

位于所述第一導電類型半導體層之上的多量子阱發光層，所述多量子阱發光層包括X 個量子阱，所述多量子阱發光層的頂部具有多個盲孔，所述盲孔貫穿Y個所述量子阱，其 中X和Y為正整數且X＞Y；

位于所述多量子阱之上的第二導電類型半導體層，所述第二導電類型半導體層填充所 述多個盲孔；

第一電極，所述第一電極與所述第一導電類型半導體層相連；以及

第二電極，所述第二電極與所述第二導電類型半導體層相連。

2.如權利要求1所述的LED結構，其特征在于，所述X與Y的差值為1或2。

3.如權利要求1所述的LED結構，其特征在于，所述多個盲孔的深度不同。

4.如權利要求1所述的LED結構，其特征在于，所述多個盲孔的深度相同。

5.如權利要求1所述的LED結構，其特征在于，所述第二導電類型半導體層包括：

輕摻雜第二導電類型半導體子層，所述輕摻雜第二導電類型半導體子層填充所述多個 盲孔；和

重摻雜第二導電類型半導體子層，所述重摻雜第二導電類型半導體子層位于所述輕摻 雜第二導電類型半導體子層之上。

6.如權利要求5所述的LED結構，其特征在于，還包括：

第一導電類型載流子阻擋層，所述第一導電類型載流子阻擋層位于所述輕摻雜第二導 電類型半導體子層與所述重摻雜第二導電類型半導體子層之間。

7.一種LED結構的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供襯底；

在所述襯底之上形成第一導電類型半導體層；

在所述第一導電類型半導體層之上形成多量子阱發光層，所述多量子阱發光層包括X 個量子阱；

在所述多量子阱發光層的頂部形成多個盲孔，所述盲孔貫穿Y個所述量子阱，其中X 和Y為正整數且X＞Y；

沉積第二導電類型半導體材料，以填充所述多個盲孔并且在所述多量子阱發光層之上 形成第二導電類型半導體層；

形成與所述第一導電類型半導體層相連的第一電極；以及

形成與所述第二導電類型半導體層相連的第二電極。

8.如權利要求7所述的LED結構的形成方法，其特征在于，所述X與Y的差值為1 或2。

9.如權利要求7所述的LED結構的形成方法，其特征在于，所述多個盲孔的深度不 同。

10.如權利要求7所述的LED結構的形成方法，其特征在于，所述多個盲孔的深度相 同。

11.如權利要求7所述的LED結構的形成方法，其特征在于，所述形成第二導電類型 半導體層包括步驟：

形成輕摻雜第二導電類型半導體子層，所述輕摻雜第二導電類型半導體子層填充所述 多個盲孔；和

形成重摻雜第二導電類型半導體子層，所述重摻雜第二導電類型半導體子層位于所述 輕摻雜第二導電類型半導體子層之上。

12.如權利要求11所述的LED結構的形成方法，其特征在于，還包括步驟：

在所述輕摻雜第二導電類型半導體子層與所述重摻雜第二導電類型半導體子層之間形 成第一導電類型載流子阻擋層。