[發明專利]OLED柔性顯示器件在審
| 申請號: | 201410578898.0 | 申請日: | 2014-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN105590944A | 公開(公告)日: | 2016-05-18 |
| 發明(設計)人: | 祝文秀;黃添旺;何志江;翟保才 | 申請(專利權)人: | 上海和輝光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50 |
| 代理公司: | 上海唯源專利代理有限公司 31229 | 代理人: | 曾耀先 |
| 地址: | 201508 上海市金山區*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 柔性 顯示 器件 | ||
技術領域
本發明涉及OLED顯示技術,尤其是指一種OLED柔性顯示器件。
背景技術
現有的OLED柔性顯示器件(FlexibleOLED),一般采用頂發射方式 (topemission),傳統的頂發射方式OLED柔性顯示器件的結構如圖1所 示,從下至上依次包括:柔性基板91、陽極層92、空穴注入層(HIL) 93、空穴傳輸層(HTL)94、有機發光層(EML)95、電子傳輸層(ETL) 96、電子注入層(EIL)97、陰極層98以及覆蓋層99。
其中,先在柔性基板91上蒸鍍陽極層92,陽極層92采用ITO/Ag/ITO 薄膜,厚度為100nm~200nm;再在陽極層92上依次蒸鍍有機層:空穴注 入層(HIL)93、空穴傳輸層(HTL)94、有機發光層(EML)95、電子 傳輸層(ETL)96以及電子注入層(EIL)97;再蒸鍍陰極層98,陰極層 98采用Mg:Ag合金,厚度為15nm~25nm;最后再在陰極層98上制備一 層覆蓋層99,覆蓋層99通常采用有機材料。
為得到高純色和高效率,一般是通過調節其微腔結構(即有機層HIL、 HTL、EML、ETL、EIL中的一層或幾層),實現高純色與高效率。然而, 傳統的OLED柔性顯示器件,普遍存在效率及壽命過低的問題,主要是 由于OLED柔性顯示器件的封裝方式為薄膜封裝,在撓曲過程中,薄膜 封裝可能會形成細小的通道,使水氧到達OLED柔性顯示器件。又因為 覆蓋層通常采用有機材料,其阻水氧能力很弱,而陰極層采用較為活潑的 Mg:Ag合金,接觸水氧后極易發生反應導致器件失效。
發明內容
有鑒于上述現有技術中OLED柔性顯示器件接觸水氧后極易發生反 應導致器件失效問題,為了解決這一問題,本發明提供了一種OLED柔 性顯示器件,包括:
柔性基板,所述柔性基板上依次制備有陰極層、有機發光單元、陽極 層以及覆蓋層,所述覆蓋層的材料為具有耐水氧性的無機材料TiO2或 SiC。
本發明的OLED柔性顯示器件,通過將傳統的OLED結構進行倒置, 將容易氧化的陰極層直接鍍設在柔性基板上,再在陰極層上覆蓋有機發光 單元、陽極層以及覆蓋層,達到保護陰極層不受氧化的目的。另外,采用 具有耐水氧性的無機材料TiO2或SiC作為覆蓋層的材料,可增強OLED 器件的阻水氧能力,有效提高OLED器件的壽命。并且,TiO2和SiC的 折射率較高,可進一步提高OLED器件的光純度。
本發明OLED柔性顯示器件的進一步改進在于,所述覆蓋層的厚度 為50nm~80nm。綜合覆蓋層的折射率,將覆蓋層的厚度設置在50nm~80nm 范圍內,可進一步提高OLED器件的光純度。
本發明OLED柔性顯示器件的進一步改進在于,所述陽極層的材料 為Au、Pt或Ti。Au、Pt或Ti的穩定性好并且功函數高,較好的穩定性 可保護有機發光單元,較高的功函數可有效提高空穴的注入效率。
本發明OLED柔性顯示器件的進一步改進在于,所述陽極層的厚度 為10nm~20nm。由此將陽極層設為半反半透層(反射率與透射率均為 50%),可提高OLED器件的微腔效應。
本發明OLED柔性顯示器件的進一步改進在于,所述陰極層的材料 為Mg。Mg的功函數較低,可有效提高電子的注入效率。
本發明OLED柔性顯示器件的進一步改進在于,所述陰極層的厚度 為100nm~200nm。綜合陰極材料的折射率,將陰極層的厚度設為 100nm~200nm范圍內,形成一個全反射陰極,可提高OLED器件的微腔 效應。
本發明OLED柔性顯示器件的進一步改進在于,所述有機發光單元 包括電子注入層、電子傳輸層、有機發光層、空穴傳輸層以及空穴注入層, 所述的電子注入層、電子傳輸層、有機發光層、空穴傳輸層以及空穴注入 層依次制備于所述陰極層上。
本發明OLED柔性顯示器件的進一步改進在于,所述空穴注入層包 括第三空穴注入層、第二空穴注入層以及第一空穴注入層,所述的第三空 穴注入層、第二空穴注入層以及第一空穴注入層依次制備于所述空穴傳輸 層上。不同的空穴注入層作用不同,第一空穴注入層的主要作用是增加注 入效率,第二空穴注入層及第三空穴注入層的主要作用為增強微腔效應。
附圖說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





